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AON7230 发布时间 时间:2025/5/23 21:20:02 查看 阅读:18

AON7230是Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种高效能功率转换应用。
  AON7230通常用于消费电子、计算机及外设、通信设备等领域。其出色的性能使其成为需要高效率和低功耗的电路设计的理想选择。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  封装:SOIC-8
  最大漏源电压Vds:30V
  最大栅源电压Vgs:±12V
  连续漏极电流Id:9.6A
  导通电阻Rds(on):4.5mΩ(在Vgs=10V时)
  总栅极电荷Qg:12nC
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55℃ to +150℃

特性

AON7230的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  2. 高电流处理能力,可支持高达9.6A的连续漏极电流。
  3. 快速开关特性,适合高频应用。
  4. 小巧的SOIC-8封装,节省PCB空间。
  5. 较宽的工作温度范围,能够在极端环境下可靠运行。
  6. 具备良好的热稳定性,确保长时间工作的可靠性。
  这些特点使得AON7230特别适用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及各种电源管理解决方案中。

应用

AON7230广泛应用于以下领域:
  1. DC-DC转换器中的功率开关。
  2. 电池供电设备中的负载开关。
  3. 各类便携式电子产品的电源管理。
  4. 电机驱动电路中的功率级元件。
  5. 计算机及其外围设备的电源模块。
  6. 通信设备中的信号调理与功率控制。
  由于其高效的特性和紧凑的设计,AON7230非常适合对尺寸和效率有严格要求的应用场景。

替代型号

AOT7230G, AOZ7230AQ

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AON7230参数

  • 现有数量0现货
  • 价格3,000 : ¥4.14866卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)47A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)11.5 毫欧 @ 13A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)45 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2320 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)54W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN-EP(3.3x3.3)
  • 封装/外壳8-PowerWDFN