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CY7C1520KV18-333BZXC 发布时间 时间:2025/11/4 0:24:04 查看 阅读:14

CY7C1520KV18-333BZXC 是 Cypress Semiconductor(现属于 Infineon Technologies)生产的一款高性能、低功耗的 3.6 Mbit(256K × 18)双端口静态随机存取存储器(SRAM),采用同步突发架构,支持高速数据传输。该器件专为需要高带宽和低延迟的数据缓冲与共享应用而设计,广泛应用于通信、网络设备、测试仪器以及工业控制等领域。CY7C1520KV18 系列工作电压为 1.8V,符合现代低功耗系统的设计需求,并提供多种封装形式和温度等级以适应不同的应用场景。
  该芯片具备两个独立的端口,允许同时访问相同的存储阵列,每个端口均支持高达 333 MHz 的时钟频率,对应的数据速率可达 666 Mbps(双倍数据速率)。其内部结构采用先进的 CMOS 工艺制造,集成了输出使能、片选控制、时钟使能和低功耗待机模式等多种功能,提升了系统的灵活性与能效表现。此外,CY7C1520KV18-333BZXC 支持可配置的突发长度和可编程的片上终端电阻(On-Die Termination, ODT),有助于优化信号完整性并减少外部元件数量。
  器件还具备高级电源管理特性,包括自动休眠和深度掉电模式,在非活跃状态下显著降低功耗。所有输入/输出引脚均兼容 LVDS 或 HSTL 电平标准,确保在高速运行下的稳定性和抗干扰能力。CY7C1520KV18-333BZXC 采用 165-ball BGA 封装,符合 RoHS 标准,并可在扩展工业温度范围内可靠运行,是高端嵌入式系统中理想的高速双端口存储解决方案。

参数

容量:3.6 Mbit
  组织结构:256K × 18
  供电电压:1.8V ± 0.1V
  最大时钟频率:333 MHz
  数据速率:666 Mbps(DDR)
  访问时间:约 3 ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:165-ball BGA(15×15 mm)
  接口标准:LVDS / HSTL
  每端口带宽:最高 6 Gbps
  突发长度:可编程(1, 2, 4, 8)
  时钟输入:差分(SCLK/SCLK#)
  数据输入/输出:双边沿采样(DDR)
  电源管理:支持待机与掉电模式
  支持功能:片上终端(ODT)、锁相环(PLL)时钟同步、双端口独立控制

特性

CY7C1520KV18-333BZXC 具备卓越的高速同步双端口架构,能够在两个完全独立的端口之间实现并发访问同一存储阵列的操作,极大提升了多处理器系统中的数据共享效率。每个端口都配备了专用的地址、数据和控制总线,支持全双工通信,且操作互不干扰。这种对称式双端口设计特别适用于需要实时数据交换的应用场景,如电信交换、路由器数据缓冲、雷达信号处理等。其同步架构基于锁相环(PLL)进行精确的时钟倍频和相位对齐,确保在高频下仍保持稳定的读写时序。
  该器件采用双倍数据速率(DDR)技术,在时钟的上升沿和下降沿均可传输数据,从而将有效数据速率提升至传统SDR的两倍。配合可编程的突发长度(支持1、2、4、8字节),用户可根据实际带宽需求灵活配置传输模式,优化系统性能。此外,内置的片上终端(ODT)功能可有效抑制高速信号反射,改善信号完整性,减少PCB布局复杂度并节省外部匹配电阻。
  CY7C1520KV18-333BZXC 还集成了全面的电源管理机制。在空闲或低负载状态下,可通过控制信号进入低功耗待机模式或深度掉电模式,大幅降低静态电流消耗,适合对能效要求严格的便携式或远程设备。所有I/O接口均支持HSTL或LVDS电平标准,具备良好的噪声抑制能力和高速驱动能力,确保在长距离背板或多负载环境下的稳定性。
  该芯片支持边界扫描测试(JTAG),便于生产测试和故障诊断。其165-ball BGA封装具有较小的占位面积和优良的散热性能,适用于高密度PCB设计。整体设计兼顾高性能、低延迟、低功耗与高可靠性,是构建高端通信和计算平台的理想选择。

应用

CY7C1520KV18-333BZXC 主要用于需要高速、低延迟、双端口数据共享的复杂电子系统中。典型应用包括宽带通信设备中的线路卡和交换矩阵,用于在多个处理单元之间高效传递信元或分组数据;在网络路由器和交换机中作为FIFO缓冲器或队列管理存储器,支持千兆乃至万兆以太网的数据流控制;在测试与测量仪器中用作高速采集数据的暂存区,保证数据不丢失并支持快速回放分析。
  此外,该器件也广泛应用于军事与航空航天领域的雷达信号处理系统,其中两个端口可分别连接ADC/DAC前端和数字信号处理器(DSP/FPGA),实现无缝的数据流水线操作。在工业自动化控制系统中,可用于PLC主控模块与I/O模块之间的共享内存架构,提升响应速度和系统协同能力。
  由于其支持扩展工业温度范围和高抗扰度I/O接口,该芯片同样适用于恶劣环境下的户外通信基站、轨道交通控制系统及能源监控装置。总之,凡是需要高带宽、双端口并发访问、低功耗同步SRAM的场合,CY7C1520KV18-333BZXC 都是一个高度可靠的技术选项。

替代型号

CY7C1520KV18-333BZI

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CY7C1520KV18-333BZXC参数

  • 数据列表CY7C(1518,1520)KV18
  • 标准包装136
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 同步,DDR II
  • 存储容量72M(2M x 36)
  • 速度333MHz
  • 接口并联
  • 电源电压1.7 V ~ 1.9 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳165-LBGA
  • 供应商设备封装165-FBGA(13x15)
  • 包装托盘