时间：2025/7/3 21:46:26
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SH31B224K100CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的半导体制造工艺。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。其高效率和低导通电阻特性使其成为众多电力电子应用的理想选择。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有出色的开关特性和热性能，能够支持高频工作环境。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：24A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：65nC
输入电容：1750pF
总功耗：18W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SH31B224K100CT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，支持高达 1MHz 的开关频率。
3. 强大的雪崩耐量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 小型化封装设计，适合空间受限的应用场景。
5. 优异的热性能，确保在高温环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
该芯片广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源适配器和充电器。
2. DC-DC 转换器及逆变器。
3. 工业电机控制与驱动。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的开关元件。
5. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
6. 高效 LED 驱动器和其他需要快速开关响应的应用场景。
STP240N10F,
IRFZ44N,
FDP2500N10,
IXFN240N10T2
