制造商：Infineon Technologies (原 Cypress)
　　系列：QDR-II+ SRAM
　　产品类型：SRAM
　　存储容量：18 Mbit (1M x 18 / 512K x 36)
　　数据总线宽度：18 位或 36 位（可配置）
　　时钟频率：最高 167 MHz
　　访问时间：约 3 ns
　　工作电压：1.7 V ~ 1.9 V（典型值 1.8 V）
　　接口类型：QDR-II+
　　输入/输出逻辑标准：SSTL_18 或 HSTL
　　封装类型：165-ball FBGA (11x15 mm)
　　引脚数量：165
　　工作温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）或工业级（-40°C 至 +85°C）具体取决于版本
　　最大功耗：约 1.5 W（典型操作条件下）
　　刷新机制：无需刷新（静态 RAM）
　　时序特性：支持双倍数据率读写，地址/控制信号在时钟边沿采样，数据在时钟的上升沿和下降沿传输

CY7C1370KV25-167AXC 具备卓越的性能与灵活性，其核心特性之一是支持 QDR-II+ 架构，能够在每个时钟周期的上升沿和下降沿分别进行一次数据读取和一次数据写入，从而实现四倍于系统时钟的数据吞吐率。这种独特的双端口架构允许独立的读写端口操作，避免了传统单端口 SRAM 中常见的读写冲突问题，显著提升了系统的并发处理能力。该器件的数据总线支持 18 位或 36 位两种配置模式，用户可根据实际系统需求灵活选择，增强了与其他逻辑器件（如 FPGA 或 ASIC）的兼容性。
　　该芯片采用先进的 CMOS 工艺制造，具有出色的信号完整性和抗噪声能力，同时集成了片上终端电阻（ODT）和可编程驱动强度功能，有助于优化高速信号传输质量，减少反射和串扰。其输入输出接口兼容 SSTL_18 和 HSTL 标准，能够无缝对接多种高速逻辑电路。此外，器件支持自动低功耗模式切换，在无操作期间自动进入待机状态以节省能耗，且唤醒响应迅速，不影响系统实时性。
　　CY7C1370KV25-167AXC 还具备严格的时序控制机制，提供精确的读写延迟调节功能，确保在不同工作条件下都能维持稳定的性能表现。其封装采用细间距球栅阵列（FBGA），不仅减小了占板面积，还通过优化内部走线降低了寄生电感和电容，进一步提升高频稳定性。器件符合 RoHS 环保标准，并经过严格测试，保证在高温、高湿及振动环境下仍能可靠运行，适用于严苛的工业和通信环境。

CY7C1370KV25-167AXC 主要应用于对带宽和延迟极为敏感的高端通信系统中。它常用于核心路由器、多层交换机和光传输设备中作为高速缓存或 FIFO 缓冲器，用于临时存储数据包头部信息或转发队列数据，保障数据流的连续性和低延迟处理。在无线基础设施领域，该芯片被广泛部署于 4G LTE 和 5G 基站的基带处理单元中，支持快速数据交换和信道编码运算。此外，在数字视频广播系统、高清视频矩阵切换器以及测试测量仪器中，该器件也发挥着关键作用，尤其是在需要并行处理多路高清视频流的应用中表现出色。
　　由于其高可靠性和稳定的电气性能，该芯片同样适用于军事通信、航空航天电子系统以及高端服务器中的专用加速卡。在网络处理器与 FPGA 协同工作的架构中，CY7C1370KV25-167AXC 可作为共享内存池，实现多个处理单元之间的高速数据共享，有效提升整体系统效率。其低功耗特性也使其适用于对散热有严格限制的紧凑型设备，例如小型化接入网关或嵌入式通信模块。随着数据中心对更高吞吐量的需求不断增长，该类 QDR-II+ SRAM 正在成为构建高性能互连架构的重要组成部分。

CY7C1370KV25-167BXC
　　CY7C1370KV25-167AXI
　　CY7C1371KV25-167AXC
　　IS61QFW102436BLL-167BLI