时间：2025/8/28 0:06:22
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IR3S87N4/E2是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的功率MOSFET晶体管，主要用于高效率、高功率密度的电源转换系统。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供低导通电阻和优异的开关性能，适用于诸如DC-DC转换器、电机控制、电源管理和工业自动化等应用领域。IR3S87N4/E2采用8引脚表面贴装封装，便于在现代高密度电路板上安装和使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：8A
最大漏极-源极电压：60V
最大栅极-源极电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：25mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：8-SOIC
功率耗散：3.3W
栅极电荷：18nC
漏极-源极击穿电压：60V
输入电容：1100pF
IR3S87N4/E2具有多个关键特性，使其成为高性能功率管理应用的理想选择。首先，该器件的低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，IR3S87N4/E2采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供卓越的开关性能，从而减少了开关损耗并提高了响应速度。
其次，该MOSFET具有较高的耐压能力，最大漏极-源极电压可达60V，适用于多种中高压应用环境。其高栅极-源极电压容限（±20V）也增强了其在复杂工作条件下的稳定性和可靠性。
IR3S87N4/E2的工作温度范围宽达-55°C至175°C，适用于严苛的工业环境。此外，其8-SOIC封装形式不仅节省空间，还提供了良好的热管理和机械稳定性，适合用于自动化生产和高密度电路设计。
该器件还具备较低的栅极电荷（18nC），有助于加快开关速度，减少开关过程中的能量损失。同时，其较高的输入电容（1100pF）也有助于降低高频噪声的干扰。
IR3S87N4/E2广泛应用于多种高效率电源系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制电路、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率开关控制。此外，它也适用于消费类电子产品中的电源管理模块，如笔记本电脑适配器、电源供应器和UPS（不间断电源）系统。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、LED照明驱动以及车载信息娱乐系统的电源管理部分。
IRF3710, IPB08N06N3, Si4410DY
