时间：2025/12/26 3:44:47
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S1MB-13-F是一款表面贴装的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用SOD-123FL小型封装，广泛应用于需要高效率和紧凑布局的电源管理系统中。该器件由多家半导体制造商生产，常见于消费类电子产品、便携式设备以及工业控制电路中。S1MB-13-F以其低正向电压降、快速开关响应和良好的热稳定性著称，适用于高频整流、反向极性保护、续流和箝位等应用场合。其封装尺寸小巧，适合高密度PCB布局，并符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺。该器件的最大重复反向电压为100V，标称平均整流电流可达1A，在轻负载条件下表现出优异的能效特性。此外，S1MB-13-F具备优良的抗浪涌能力，能够在瞬态过载条件下保持稳定运行，提升了系统的可靠性。由于其结构设计优化，寄生电感和电阻较低，有助于减少功率损耗并改善高频性能。在现代开关电源、DC-DC转换器、AC适配器及LED驱动电路中，S1MB-13-F常被用作输出整流或防止电流倒灌的关键元件。
类型：肖特基二极管
封装：SOD-123FL
最大重复反向电压（VRRM）：100V
平均整流电流（IO）：1A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms半正弦波）
最大正向电压降（VF）：850mV @ 1A
最大反向漏电流（IR）：100μA @ 100V，25°C
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
热阻抗（RθJA）：约200°C/W（典型值，依PCB布局而定）
引脚数量：2
安装类型：表面贴装（SMD）
S1MB-13-F的核心特性之一是其低正向导通压降，典型值仅为850mV，在1A电流下显著低于传统PN结二极管，从而大幅降低导通损耗，提升系统整体效率。这一优势在电池供电设备或对能效敏感的应用中尤为重要。同时，由于肖特基二极管的多数载流子导电机理，该器件几乎不存在少数载流子存储效应，因此具有极快的反向恢复时间，通常小于10ns，远优于普通整流二极管。这使得S1MB-13-F非常适合用于高频开关电路，如开关模式电源（SMPS）中的续流或同步整流辅助二极管，有效减少开关过程中的能量损耗与电磁干扰（EMI）。
另一个关键特性是其紧凑型SOD-123FL封装，外形尺寸约为2.7mm × 1.6mm × 1.1mm，体积小、重量轻，适用于空间受限的设计场景，例如智能手机、可穿戴设备和微型电源模块。尽管封装微小，但其热设计经过优化，能够通过PCB焊盘有效散热，确保在持续负载条件下的可靠运行。此外，器件具备良好的高温稳定性，即使在接近+150°C的结温下仍能维持正常功能，适应严苛的工作环境。
S1MB-13-F还具有较低的反向漏电流，虽然相比硅PN二极管略高，但在常温下控制在100μA以内，满足大多数应用场景需求。其浪涌电流承受能力达30A，可在短时过载或启动冲击下提供一定保护作用，增强系统鲁棒性。制造上采用可靠的金属-半导体接触工艺，保证批次一致性与长期可靠性。整体而言，S1MB-13-F结合了高性能、小型化与成本效益，是现代电子设计中理想的通用型肖特基整流解决方案。
S1MB-13-F广泛应用于各类中小功率电源系统中，尤其适合需要高效能和小型化的电子设备。一个典型应用是在直流-直流（DC-DC）转换器中作为续流或箝位二极管，利用其快速恢复特性和低正向压降来提高转换效率，减少发热问题。在降压（Buck）、升压（Boost）或反激式（Flyback）拓扑结构中，它能够有效防止电感电流中断时产生的高压尖峰，保护主开关器件如MOSFET。此外，在AC-DC适配器、充电器和USB供电模块中，S1MB-13-F可用于次级侧整流，替代传统快恢复二极管以提升轻载效率。
在电池管理系统中，该器件常用于防止反向电流流动，实现单向导通功能，保护电池免受外部电源误接导致的损坏。在便携式电子产品如智能手表、蓝牙耳机和移动电源中，其小型封装有利于节省宝贵的PCB空间，同时满足低功耗运行需求。另外，S1MB-13-F也常见于LED照明驱动电路中，作为防倒灌二极管使用，避免关断状态下LED出现微弱发光现象（鬼影亮灯）。
工业控制领域中，该二极管可用于信号隔离、电源轨保护以及继电器或电磁阀驱动电路中的反电动势吸收。在嵌入式系统和物联网节点设备中，S1MB-13-F有助于构建高效的本地稳压网络，特别是在多电源域切换时提供路径隔离。由于其符合RoHS标准且支持自动化贴片生产，已成为大批量电子产品制造中的常用元器件之一。无论是消费类还是工业级产品，S1MB-13-F都能提供稳定可靠的性能表现。
S1MB-E3-13
MBR1100T1G
SK110
B1100LS
SS14
