型号：CY7C136-25NC
　　制造商：Cypress Semiconductor (Infineon)
　　存储容量：256K x 4位（1Mbit）
　　工作电压：4.5V ~ 5.5V
　　访问时间：25ns
　　封装类型：32-pin DIP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　输入/输出逻辑电平：TTL兼容
　　电源电流（最大）：90mA（典型运行状态）
　　待机电流：100μA（最大）
　　读写控制信号：Chip Enable (CE), Output Enable (OE), Write Enable (WE)
　　地址线数量：18条（A0-A17）
　　数据线数量：4条（I/O0-I/O3）
　　封装宽度：0.6英寸（DIP）
　　无铅/环保状态：部分批次符合RoHS标准

CY7C136-25NC具备多项关键特性，使其成为高速异步SRAM应用中的优选器件之一。首先，其25ns的访问时间确保了极快的数据响应能力，适用于对实时性要求严格的系统环境，如雷达信号处理、视频帧缓冲和高速数据采集设备。这种快速访问性能得益于优化的内部核心架构和低延迟的地址译码电路设计，能够在地址变化后迅速激活对应的存储单元并输出数据。其次，该芯片采用CMOS工艺制造，在保证高速运行的同时实现了相对较低的动态功耗，并且在待机模式下仅消耗微安级别的电流，显著延长了电池供电系统的使用时间或降低了整体系统热负荷。再者，其TTL电平兼容的输入输出接口简化了与传统微处理器、DSP控制器及其他逻辑电路的连接，无需额外的电平转换器即可直接接入5V系统总线，提高了设计的便利性和系统的稳定性。此外，CY7C136-25NC集成了三态输出缓冲器，允许其数据引脚在未被选通时呈现高阻抗状态，从而避免总线冲突，支持多片SRAM并联扩展或与其他外设共享数据通道。该器件还具备全静态操作特性，即只要供电正常，无需刷新机制即可永久保持数据内容，这与DRAM形成鲜明对比，提升了系统的可靠性与可预测性。写保护机制通过WE和CE信号的协同控制实现，防止误写入导致的数据损坏。最后，DIP封装便于手工焊接和原型开发，特别适合小批量生产或维修替换场景。这些综合特性使得CY7C136-25NC在工业自动化、电信基础设施、军事电子等领域持续发挥重要作用。
　　

CY7C136-25NC的应用涵盖多个对数据存取速度和系统稳定性有较高要求的技术领域。在通信设备中，它常用于路由器、交换机和基站模块中作为高速缓存或协议处理缓冲区，临时存储正在转发的数据包或信令信息，以减少主处理器的负担并提高吞吐效率。在工业控制系统中，该SRAM可用于PLC（可编程逻辑控制器）、运动控制卡和人机界面（HMI）设备中，用于暂存传感器采样值、执行中间计算结果或图形显示缓冲，确保控制指令的及时响应与执行。测试与测量仪器，如示波器、频谱分析仪和自动测试设备（ATE），也广泛采用此类SRAM来捕捉瞬态信号或存储校准参数，利用其非易失性读写能力和快速访问特性提升测量精度与响应速度。在医疗成像设备中，例如超声波机或便携式监护仪，CY7C136-25NC可用于图像帧缓冲，支持连续画面的快速刷新与叠加处理。航空航天与国防电子系统则因其宽温特性和高可靠性而青睐该器件，应用于飞行控制计算机、雷达前端处理器和电子对抗系统中。此外，在一些老旧但仍在服役的计算机系统或专用嵌入式平台上，该芯片也被用作辅助内存扩展模块。由于其异步接口设计简单且无需复杂的初始化流程，非常适合资源受限或对启动时间敏感的应用场合。即使在现代设计趋向于使用同步SRAM或嵌入式RAM的趋势下，CY7C136-25NC凭借其成熟生态和长期供货记录，仍然是许多维护和升级项目中的首选替换件。
　　

CY7C136-25JC
　　CY7C136-25VI
　　IS61LV2568-25B
　　AS7C256-25JCN8