时间：2025/8/7 1:20:43
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IHD260 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）制造的功率 MOSFET 晶体管。它专为高功率和高频应用设计，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器以及电机控制等场景。IHD260 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，使其在功率电子设计中成为一种高效且可靠的选择。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：60A
最大漏源电压 (Vds)：200V
导通电阻 (Rds(on))：0.045Ω（最大）
栅极电荷 (Qg)：150nC
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-247
IHD260 MOSFET 以其出色的电气特性和高可靠性著称。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。该器件还具备高雪崩能量承受能力，增强了在严苛环境下的耐用性。此外，IHD260 具有快速开关特性，使其适用于高频开关应用，从而减少外围元件的尺寸并提高功率密度。热阻低的特性也确保了在高负载条件下的稳定运行。
IHD260 的封装设计优化了散热性能，TO-247 封装能够有效将热量传导到散热片，从而降低结温并延长器件寿命。此外，该器件的栅极驱动需求较低，简化了驱动电路的设计，降低了整体系统的复杂性。
IHD260 常用于高功率电子设备中，包括开关电源、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器、UPS（不间断电源）系统以及工业自动化设备。其高可靠性和高效性也使其成为新能源汽车充电系统、太阳能逆变器等新能源领域的理想选择。此外，IHD260 也广泛应用于各种高频率功率转换器中，以提升系统效率和稳定性。
IPW60R045C7, STP60NF20, FDP60N20
