时间：2025/9/7 11:09:42
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PM45302C 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路和功率转换等高效率电子系统中。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适合用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（Id）：4.7A
最大漏源电压（Vds）：450V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大为2.5Ω（在Vgs=10V条件下）
功耗（Ptot）：60W
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至+150°C
PM45302C 的设计采用了先进的沟槽式结构，这种技术显著降低了导通电阻，提高了器件的电流处理能力。其高耐压特性（450V）使其特别适用于高压功率转换系统，如开关电源、LED驱动器和电机控制电路。
此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较高温度下稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。其封装形式为 TO-220，具备良好的散热性能，便于安装和散热设计。
该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容常见的驱动电路，提高了系统设计的灵活性。低导通损耗和开关损耗的平衡设计也有助于提高整体能效，减少发热，延长系统寿命。
PM45302C 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关管；
2. LED照明驱动电路；
3. 电机控制和驱动电路；
4. 逆变器和UPS系统；
5. 工业自动化和控制设备；
6. 汽车电子系统如车载充电器等。
STP4NK50Z、IRF840、FQA4N50C
