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CY7C1041GN30-10ZSXIT 发布时间 时间:2025/5/7 14:22:56 查看 阅读:3

CY7C1041GN30-10ZSXIT 是由 Cypress 公司生产的同步静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片采用高速 CMOS 工艺制造,具有低功耗和高性能的特点。它适用于需要高可靠性和快速访问时间的应用场景。
  这款 SRAM 提供 1M x 8 的存储容量,并支持高达 125MHz 的时钟频率。其数据访问速度非常快,适合用于缓存、通信缓冲区和其他实时数据处理应用。

参数

工作电压:2.5V ± 0.2V
  存储容量:1M x 8
  访问时间:10ns
  时钟频率:最高 125MHz
  封装类型:TQFP-44
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据保持时间:无限期
  接口类型:同步
  引脚数:44

特性

这款 SRAM 芯片的主要特性包括:
  1. 高速性能:支持高达 125MHz 的时钟频率,确保快速的数据传输速率。
  2. 同步操作:所有输入信号均与时钟信号同步,简化了设计复杂度。
  3. 低功耗:在典型工作条件下,芯片的功耗较低,非常适合对功耗敏感的应用。
  4. 稳定性:即使在极端温度范围内,也能保持良好的性能和可靠性。
  5. 数据完整性:具备强大的数据保持功能,无需刷新即可长时间保存数据。
  6. 易于集成:标准的 TQFP 封装使其易于焊接和安装到 PCB 上。
  此外,该芯片还提供全面的保护机制,如掉电保护等,以确保数据的安全性。

应用

CY7C1041GN30-10ZSXIT 广泛应用于以下领域:
  1. 通信设备:用作缓冲存储器或高速缓存,在路由器、交换机等网络设备中实现高效的数据传输。
  2. 工业控制:为工业自动化系统中的控制器提供快速的临时数据存储能力。
  3. 医疗设备:用于超声波设备、CT 扫描仪等医疗仪器,支持图像处理和数据采集。
  4. 消费类电子产品:如数字电视、游戏机等需要高带宽存储的应用。
  5. 嵌入式系统:作为嵌入式处理器的外部扩展存储器,提高系统的运行效率。
  总之,这款 SRAM 在任何需要高速数据处理和低延迟的应用中都表现出色。

替代型号

CY7C1041GV30-10ZC, CY7C1041GQ30-10ZC

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CY7C1041GN30-10ZSXIT参数

  • 现有数量5,208现货
  • 价格1 : ¥64.08000剪切带(CT)1,000 : ¥41.13788卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 异步
  • 存储容量4Mb
  • 存储器组织256K x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页10ns
  • 访问时间10 ns
  • 电压 - 供电2.2V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 供应商器件封装44-TSOP II