制造商: Infineon Technologies
　　产品系列: CY62256N
　　存储容量: 256 Kbit
　　存储器类型: SRAM
　　存储器格式: 静态RAM
　　存储组织: 32K × 8
　　工作电压: 3.0V ~ 3.6V
　　最大访问时间: 55 ns
　　工作电流: 典型值 18 mA（读取模式）
　　待机电流: 最大 10 μA（CMOS待机模式）
　　输入/输出逻辑电平: TTL/CMOS兼容
　　封装类型: 44-SOJ
　　引脚数: 44
　　工作温度范围: -40°C ~ +85°C
　　存储温度范围: -65°C ~ +150°C
　　湿度敏感等级(MSL): MSL 3
　　最大写周期时间: 55 ns
　　读写控制信号: CE#, OE#, WE#
　　字节使能: 无
　　刷新机制: 无需刷新
　　可靠性寿命: 写入耐久性无限次
　　封装宽度: 11.8 mm
　　安装类型: 表面贴装SMD/SMT

CY62256NLL-55ZXE具备多项关键特性，使其成为众多嵌入式系统设计中的理想选择。首先，其高速访问时间为55纳秒，能够满足大多数微处理器系统对快速数据响应的需求，尤其适用于实时控制系统中频繁读写的场景。得益于先进的CMOS制造工艺，该芯片在保持高性能的同时实现了极低的功耗表现：在读取模式下典型工作电流仅为18mA，而在待机或低功耗模式下，静态电流可低至10μA以下，显著提升了系统的能效比，特别适合电池供电或对能耗敏感的应用环境。其次，该SRAM采用标准异步接口设计，支持CE#（片选）、OE#（输出使能）和WE#（写使能）三个控制信号，逻辑清晰且易于与各类MCU、DSP或FPGA进行连接，无需复杂的时序匹配电路，降低了系统设计复杂度。数据总线为8位宽，地址线共15根（A0-A14），支持全地址解码，寻址空间精确对应32K单元，避免了地址浪费。此外，器件支持TTL和CMOS电平兼容输入，增强了与其他数字逻辑器件的互操作性。在可靠性方面，CY62256NLL-55ZXE具有高抗干扰能力和良好的噪声抑制性能，能够在电磁环境复杂的工业现场稳定运行。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）确保了在极端气候条件下的长期稳定性，适用于户外设备、车载终端及工业自动化控制系统。封装采用44引脚SOJ形式，引脚间距为1.27mm，符合JEDEC标准，支持波峰焊和回流焊工艺，适合大规模自动化生产。另外，该器件无需刷新操作，简化了内存管理机制，减轻了主控处理器的负担。最后，Infineon提供的长期供货保障和全面的技术支持文档也增强了其在工业和汽车领域应用的可持续性。
　　

CY62256NLL-55ZXE广泛应用于多个对数据存取速度和系统稳定性要求较高的领域。在工业控制领域，它常被用于PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）、运动控制器和数据采集系统中，作为临时数据缓冲区或程序运行内存，支持实时任务调度和高速I/O处理。在网络与通信设备中，该SRAM可用于路由器、交换机、基站模块等设备的数据包缓存、帧缓冲或协议处理中间存储，其快速响应能力有助于提升数据吞吐效率。在消费类电子产品中，如高端打印机、多功能办公设备、智能家电控制板等，CY62256NLL-55ZXE可作为图像处理或用户界面渲染的临时存储单元。此外，在医疗电子设备如便携式监护仪、超声成像系统中，该芯片用于存储实时生理信号采样数据，确保数据不丢失并支持快速调用分析。车载电子系统中，包括车载信息娱乐系统（IVI）、行车记录仪和ADAS辅助驾驶模块，也能利用其宽温特性和高可靠性实现稳定运行。测试与测量仪器，如示波器、逻辑分析仪和频谱仪，同样依赖此类高速SRAM进行高速采样数据的暂存。由于其无刷新特性，也适合用于单片机系统中扩展外部RAM，尤其是在使用8051、ARM7、Cortex-M系列等不具备足够片上内存的处理器架构时，能够显著提升系统整体性能。总之，凡是需要非易失性以外的高速、低功耗、高可靠性的随机读写存储场景，CY62256NLL-55ZXE都是一个成熟且值得信赖的选择。
　　

[
　　 "CY62256NLL-55ZSXI",
　　 "CY62256NL-55ZSXI",
　　 "IS62WVS2568BL-55BLI",
　　 "IS61WV2568AL-55BLI",
　　 "M2HS2568T55M7G",
　　 "EM638325TS-55"
　　]