RF1136SB 时间：2025/8/15 19:18:39 阅读：24

RF1136SB是一款由Renesas（瑞萨电子）生产的射频（RF）功率晶体管，主要用于高频率、高功率的射频放大应用。该器件采用硅双极晶体管技术制造，适用于工业、科学和医疗（ISM）频段、广播、无线基础设施以及其他需要高线性度和高效率的射频系统。RF1136SB具有良好的热稳定性和较高的输出功率能力，适合在苛刻的工作条件下运行。

参数

类型：硅双极晶体管（BJT）
　　封装形式：螺栓型封装
　　最大集电极电流（Ic）：10A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：65V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：75V
　　最大工作频率：175MHz
　　输出功率：约125W
　　增益：约10dB（典型值）
　　阻抗匹配：50Ω输入/输出
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

特性

RF1136SB具备高功率增益和出色的线性度，能够在高频率下提供稳定的输出功率。其采用的硅双极晶体管结构确保了在高频应用中的高效能表现，同时具有良好的热管理能力，能够在高负载条件下长时间运行。
　　该器件的封装设计优化了散热性能，使其在高功率操作时仍能保持较低的结温，从而提高可靠性和寿命。此外，RF1136SB具有良好的输入/输出阻抗匹配能力，适合直接集成到50Ω系统中，减少了外部匹配网络的复杂度。
　　RF1136SB的频率响应范围宽，适用于从低频到高频的多种射频应用，尤其是在UHF和VHF频段表现优异。其高线性度和低失真特性使其成为AM、FM、SSB等调制信号放大器的理想选择。
　　该晶体管还具备良好的抗过载能力和瞬态保护性能，能够在突发负载或失配条件下维持稳定工作状态。