时间：2025/7/3 17:28:30
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SLW60R100S2 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，属于 SiC（碳化硅）基 MOSFET 器件。该芯片采用先进的碳化硅材料技术，具有卓越的开关性能和低导通损耗，适用于高频、高效率的应用场景。
该器件在设计上采用了 TO-247 封装形式，能够承受较高的电压和电流，同时具备较低的导通电阻（Rds(on)）。由于其出色的热特性和电气特性，SLW60R100S2 在电动汽车、光伏逆变器、工业电源以及电机驱动等领域有广泛的应用前景。
类型：MOSFET
材料：SiC (碳化硅)
最大漏源电压：1200V
最大连续漏极电流：60A
导通电阻：100mΩ
栅极电荷：150nC
开关频率：高达 100kHz
封装形式：TO-247
SLW60R100S2 的主要特性包括以下几点：
1. 采用碳化硅材料，具有更低的导通损耗和更高的开关速度，显著提升系统效率。
2. 支持高电压操作（1200V），能够在严苛的电力电子环境中稳定运行。
3. 具备较低的导通电阻（100mΩ），减少发热并提高能量转换效率。
4. 栅极电荷较低（150nC），从而降低驱动功耗，特别适合高频应用。
5. 采用 TO-247 封装，提供良好的散热性能和机械可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
这些特性使得 SLW60R100S2 成为高频、高压电力电子应用的理想选择。
SLW60R100S2 主要应用于以下领域：
1. 电动汽车中的 DC-DC 转换器和牵引逆变器，用于提高续航里程和动力性能。
2. 光伏逆变器，实现高效的能量转换以优化太阳能发电系统。
3. 工业电机驱动器，支持更高效的电机控制和调速功能。
4. 不间断电源（UPS）系统，确保电力供应的稳定性与可靠性。
5. 高频开关电源（SMPS），适用于各种高性能电力转换设备。
凭借其优越的性能，SLW60R100S2 在这些领域中表现出色，满足现代电力电子系统的严格要求。
SLW60R120S2
SLW80R100S2
C2M0080120D
