SLW60R100S2 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于 SiC(碳化硅)基 MOSFET 器件。该芯片采用先进的碳化硅材料技术,具有卓越的开关性能和低导通损耗,适用于高频、高效率的应用场景。
该器件在设计上采用了 TO-247 封装形式,能够承受较高的电压和电流,同时具备较低的导通电阻(Rds(on))。由于其出色的热特性和电气特性,SLW60R100S2 在电动汽车、光伏逆变器、工业电源以及电机驱动等领域有广泛的应用前景。
类型:MOSFET
材料:SiC (碳化硅)
最大漏源电压:1200V
最大连续漏极电流:60A
导通电阻:100mΩ
栅极电荷:150nC
开关频率:高达 100kHz
封装形式:TO-247
SLW60R100S2 的主要特性包括以下几点:
1. 采用碳化硅材料,具有更低的导通损耗和更高的开关速度,显著提升系统效率。
2. 支持高电压操作(1200V),能够在严苛的电力电子环境中稳定运行。
3. 具备较低的导通电阻(100mΩ),减少发热并提高能量转换效率。
4. 栅极电荷较低(150nC),从而降低驱动功耗,特别适合高频应用。
5. 采用 TO-247 封装,提供良好的散热性能和机械可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
这些特性使得 SLW60R100S2 成为高频、高压电力电子应用的理想选择。
SLW60R100S2 主要应用于以下领域:
1. 电动汽车中的 DC-DC 转换器和牵引逆变器,用于提高续航里程和动力性能。
2. 光伏逆变器,实现高效的能量转换以优化太阳能发电系统。
3. 工业电机驱动器,支持更高效的电机控制和调速功能。
4. 不间断电源(UPS)系统,确保电力供应的稳定性与可靠性。
5. 高频开关电源(SMPS),适用于各种高性能电力转换设备。
凭借其优越的性能,SLW60R100S2 在这些领域中表现出色,满足现代电力电子系统的严格要求。
SLW60R120S2
SLW80R100S2
C2M0080120D