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CY62157EV30LL-55ZSXET 发布时间 时间:2025/5/16 15:38:52 查看 阅读:8

CY62157EV30LL-55ZSXET是Cypress公司生产的一款低功耗静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片采用CMOS工艺制造,具有高可靠性和快速访问时间的特点。其组织形式为1M x 16位,总容量为16Mb,适合用于需要大容量高速缓存的应用场景。
  该型号的SRAM支持双电源供电模式,可以在3.3V和5V两种电压下工作,提供了良好的兼容性。此外,它还具备自动省电功能,在不使用时可以显著降低功耗,非常适合对功耗敏感的设计。

参数

容量:16Mb
  组织形式:1M x 16
  工作电压:3.3V/5V
  访问时间:55ns
  封装类型:TQFP
  引脚数:44
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据保留时间:无限
  功耗:低功耗
  接口类型:并行

特性

CY62157EV30LL-55ZSXET的主要特性包括快速访问时间、低功耗设计以及宽工作电压范围。这款SRAM能够在3.3V和5V电压下正常工作,增强了与不同系统的兼容性。同时,其55ns的访问时间保证了高效的数据读写性能。
  该芯片还具备自动断电功能,在未选中状态下能够进入低功耗模式,从而有效减少整体功耗。这种特性使其非常适合便携式设备或电池供电的应用场合。
  另外,其1M x 16的存储结构提供了较大的内存空间,适用于网络设备、打印机、工业控制以及其他需要大容量高速缓存的应用领域。

应用

CY62157EV30LL-55ZSXET广泛应用于各种电子设备中,尤其是那些需要快速数据处理和大容量存储的应用场景。例如,它可以用于网络路由器和交换机中的缓存,以提高数据包转发速度。
  此外,该芯片也常被用作打印机的图像缓冲区,帮助提高打印质量和速度。在工业自动化领域,它可以用作控制器的临时数据存储,确保实时数据处理的高效性。
  其他典型应用还包括医疗设备、通信设备、消费类电子产品等,任何需要高性能SRAM的地方都可以考虑使用CY62157EV30LL-55ZSXET。

替代型号

CY62157EV30LL-70ZSXET
  CY62256CV30LL
  IS61LV25616AL-10BLL

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CY62157EV30LL-55ZSXET参数

  • 标准包装1,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列MoBL®
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 异步
  • 存储容量8M(512K x 16)
  • 速度55ns
  • 接口并联
  • 电源电压2.2 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 供应商设备封装44-TSOP II
  • 包装带卷 (TR)