类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大6.7mΩ（在VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：160nC（典型值）
　　封装类型：TO-263（表面贴装）
　　工作温度范围：-55°C至175°C

PSP0K0B672RT1 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构，优化了电场分布，从而提高了击穿电压的稳定性和可靠性。
　　此外，该MOSFET具有高电流承载能力和优异的热性能，适用于高功率密度设计。其TO-263封装形式支持表面贴装工艺，提高了PCB布局的灵活性和散热效率。
　　该器件还具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关应用。内置的体二极管具有良好的反向恢复特性，适用于同步整流和续流电路。
　　在可靠性方面，PSP0K0B672RT1 符合AEC-Q101汽车级认证标准，适用于汽车电子系统中的关键功率控制环节，如电动助力转向系统、车载充电器和DC-DC变换器等。

PSP0K0B672RT1 广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、服务器电源、工业电源、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电动汽车充电设备、UPS不间断电源、光伏逆变器以及汽车电子控制系统等。
　　在汽车应用中，该MOSFET常用于车载DC-DC转换器、48V轻混系统、电动压缩机和电机控制器等关键电路中，提供高效、可靠的功率控制解决方案。
　　在工业和通信设备中，它常用于高效率电源模块和功率因数校正（PFC）电路中，以提高整体能效和系统稳定性。
　　此外，该器件也可用于电池供电系统中的负载开关控制和能量回收电路中，实现高效能量管理。

SiM6868EADS、FDMS86262、IPB061N04NG、NTMFS5C434NLT1G