时间：2025/4/30 16:25:45
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2SB1197KR 是一种双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT），主要应用于开关和放大电路中。该型号属于东芝（Toshiba）生产的高频大功率晶体管系列，广泛用于射频（RF）功率放大器、通信设备以及工业电子领域。其设计优化了高频性能和高增益特性，适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。
集电极-发射极电压（Vce）：50V
集电极电流（Ic）：30A
直流电流增益（hFE）：10~40
频率特性（fT）：80MHz
最大耗散功率（Ptot）：250W
结温范围（Tj）：-55℃~+150℃
存储温度范围：-55℃~+150℃
2SB1197KR 的特点是高频性能优越，能够在高频段保持较高的增益和稳定性。
该器件具有较高的电流承载能力（Ic=30A）和电压耐受能力（Vce=50V），使其适合于大功率应用。
此外，它的工作温度范围宽广（-55℃~+150℃），能够适应恶劣环境下的运行需求。
其封装形式通常为TO-3PF，带金属外壳，散热性能优异。
由于其高频特性和高可靠性，2SB1197KR 在射频功率放大器、通信基站以及工业控制等场景中表现出色。
2SB1197KR 广泛应用于射频功率放大器、无线通信设备、广播系统、工业加热设备以及其他需要高频大功率处理的场合。
在通信领域，它常被用作功率放大器的核心元件，支持高效信号传输。
在工业应用中，该晶体管可用于驱动负载或作为开关元件，在高电压和大电流环境下提供稳定的性能。
此外，2SB1197KR 还可以应用于雷达系统和测试测量仪器中，以满足对高频性能和高可靠性的要求。
2SC3665, 2SD1524
