容量：1 Mbit
　　组织结构：64K × 16
　　电源电压：3.3V ± 0.3V
　　访问时间：70ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：48-pin TSOP II
　　输入/输出兼容性：TTL 兼容
　　最大静态电流：5μA
　　最大动态电流：90mA
　　数据保持电压：2.0V
　　数据保持电流：2μA
　　总线宽度：16位
　　读写操作：异步
　　写入方式：字节写或全总线写
　　三态输出：是
　　控制信号：CE#, WE#, OE#, UB#/LB#

CY62157DV30LL-70BVI 具备多项关键特性，使其在高性能、低功耗的静态存储应用中表现出色。首先，其采用先进的 CMOS 制造工艺，能够在保证高速运行的同时有效降低功耗。在典型工作条件下，动态电流仅为 90mA，而待机或静态模式下的电流低至 5μA，显著提升了能效表现，尤其适用于便携式设备或对热管理有严格要求的应用场景。
　　其次，该器件支持全静态操作，意味着只要供电正常，数据即可无限期保持，无需刷新机制，简化了系统设计并提高了数据可靠性。其 70ns 的访问时间确保了快速响应能力，能够满足大多数实时处理系统的需求。同时，芯片内置三态输出缓冲器，允许数据总线在不使用时进入高阻态，避免总线冲突，提升多设备共享总线时的稳定性。
　　在接口方面，CY62157DV30LL-70BVI 提供了完整的地址（A0-A15）和数据（DQ0-DQ15）引脚，并配备多个控制信号，包括片选（CE#）、写使能（WE#）、输出使能（OE#）以及上字节/下字节选择（UB#/LB#），支持灵活的字节级访问控制，用户可以选择仅写入高字节、低字节或同时写入两个字节，增强了数据操作的灵活性。
　　该器件符合工业级温度规范（-40°C 至 +85°C），可在极端环境下稳定运行，适用于户外通信基站、车载控制系统和工业自动化设备等严苛应用场景。其 TSOP II 封装具有良好的散热性能和机械强度，且引脚间距适中，便于自动化贴片生产，提高良率和可制造性。
　　此外，CY62157DV30LL-70BVI 具备出色的抗噪能力和 ESD 保护特性，增强了在电磁干扰较强的环境中的运行稳定性。所有输入引脚均具备施密特触发器特性，提升了信号完整性。整体设计遵循 RoHS 标准，无铅且环保，符合现代电子产品绿色制造的要求。Infineon 对该系列器件提供长期供货承诺和技术支持，确保客户在产品生命周期内获得持续供应保障。

CY62157DV30LL-70BVI 广泛应用于各类需要高速、可靠、非易失性缓存或临时数据存储的电子系统中。在通信基础设施领域，它常用于路由器、交换机和基站设备中作为帧缓冲器或协议处理缓存，利用其快速读写能力来提升数据包处理效率。在网络设备中，该 SRAM 可用于存储路由表项、会话状态信息或临时队列数据，保障系统在高负载下的响应速度。
　　在工业控制与自动化系统中，该芯片被集成于 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和运动控制器中，用于暂存传感器数据、执行中间计算结果或保存配置参数。其宽温特性和高可靠性确保了在工厂高温、振动等恶劣环境下仍能稳定运行。
　　在医疗电子设备中，如监护仪、超声成像系统和便携式诊断仪器，CY62157DV30LL-70BVI 被用作图像缓冲存储器或实时信号采集缓存，确保患者数据的完整性和处理的实时性。
　　汽车电子方面，该器件可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统（IVI）和 ADAS（高级驾驶辅助系统）中，作为辅助处理器的数据暂存区，支持快速启动和高效任务调度。
　　此外，在测试与测量仪器、FPGA 加速卡、视频处理板卡等领域，该 SRAM 也因其通用性强、接口简单而被广泛采用。其异步接口无需时钟同步，简化了与多种主控芯片的对接过程，缩短开发周期。由于其成熟的技术平台和稳定的供货渠道，CY62157DV30LL-70BVI 成为许多工业级和高端消费类电子产品中的首选 SRAM 器件之一。

CY62157EV30LL-70BZI
　　CY62147EDN30-70ZSXI
　　IS62WVS10248ALL-70BLI
　　MT5CJ1024AL-70L
　　AS6C1008-70BIN2