时间：2025/7/22 14:26:50
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VNP28N04是一款由Vishay Semiconductors生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效能电源管理应用设计，适用于高频率开关操作，具备低导通电阻和高电流承载能力的特点。VNP28N04采用先进的沟槽技术，使其在低电压应用中表现出色，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理以及电源分配系统等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：150A
导通电阻（RDS(on)）：3.7mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）：125W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-220AB
VNP28N04 MOSFET具有多项显著的技术特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）为3.7mΩ，这使得在高电流条件下导通损耗显著降低，提高了系统的整体效率。其次，该器件的连续漏极电流额定值高达150A，表明其具备卓越的电流处理能力，适合用于高功率应用场景。
VNP28N04采用了先进的沟槽技术，进一步优化了其导通特性和开关性能，使其在高频开关应用中表现优异。此外，该器件的栅极驱动电压范围为±20V，而通常在10V驱动电压下即可完全导通，这种特性使得其与常见的MOSFET驱动电路兼容性强，简化了设计过程。
该MOSFET的热阻较低，封装设计有助于有效的散热管理，确保在高负载条件下仍能保持稳定的性能。VNP28N04还具备高雪崩能量耐受能力，提高了器件在突发高电压条件下的可靠性。
此外，VNP28N04的工作温度范围为-55°C至+175°C，适用于各种恶劣环境条件下的应用，包括工业设备、汽车电子和消费类电子产品中的电源管理模块。
VNP28N04广泛应用于多种高功率和高效能电子系统中。其主要应用领域包括DC-DC转换器，用于实现不同电压等级之间的高效转换，特别适用于服务器电源、电信设备和便携式电子产品中的电源管理方案。在电池管理系统中，该MOSFET常用于充放电控制和负载开关，以提高系统的安全性和效率。
此外，VNP28N04也适用于电机驱动和电源分配系统，特别是在需要高电流和低导通损耗的场合。例如，在电动工具、无人机和工业自动化设备中，该器件可以作为主开关或负载开关，提供可靠的电流控制能力。
在汽车电子领域，VNP28N04可应用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及其他需要高效能功率管理的模块。其高可靠性和宽工作温度范围使其能够在严苛的汽车环境中稳定运行。
除此之外，VNP28N04还可用于服务器和数据中心的电源供应系统，以满足高密度计算设备对电源效率和散热管理的严格要求。在消费类电子产品中，如高性能笔记本电脑和游戏主机中，该器件也常用于电源管理和电池保护电路。
IRF1405, FDP1405, SiR140DP
