时间：2025/12/25 23:15:05
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CY6116A-45DMB是一款由Cypress Semiconductor（现为Infineon Technologies的一部分）生产的高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于低功耗、高性能的16K位（2K x 8）SRAM系列，广泛应用于需要快速数据访问和可靠存储的嵌入式系统与工业控制设备中。CY6116A-45DMB采用标准的异步SRAM架构，具有简单的接口设计，便于集成到多种微控制器或微处理器系统中。其工作电压为5V ± 10%，适用于工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），确保在恶劣环境下的稳定运行。
该芯片封装形式为SOIC-28（Small Outline Integrated Circuit），体积小巧，适合空间受限的应用场景。CY6116A-45DMB支持两种片选信号（CE1和CE2），允许灵活的地址译码和系统扩展能力。此外，它具备低待机功耗特性，在未激活状态下可显著降低系统整体能耗，适合对能效有要求的设计。由于其成熟的技术和稳定的供货历史，CY6116A-45DMB被广泛用于通信设备、医疗仪器、测试测量装置以及老旧工业系统的维护升级中。
容量：16 Kbit (2K x 8)
组织结构：2048 字节 x 8 位
供电电压：4.5V ~ 5.5V
访问时间：45 ns
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装类型：SOIC-28
引脚数：28
输入/输出逻辑电平：CMOS/TTL 兼容
片选信号：CE1（高电平有效）、CE2（低电平有效）
输出使能：OE（低电平有效）
写使能：WE（低电平有效）
功耗（最大）：典型读取电流 25 mA，待机电流 < 100 μA
数据保持电压：≥ 2.0 V
三态输出：支持
总线驱动能力：可直接驱动 TTL 负载
CY6116A-45DMB具备出色的高速存取性能，访问时间仅为45纳秒，能够在高频系统时钟下实现无等待状态的数据读写操作，显著提升系统响应速度。这对于实时性要求较高的应用如工业自动化控制、数据采集系统等至关重要。该芯片采用CMOS工艺制造，在保证高速运行的同时有效控制动态功耗，并通过待机模式大幅降低静态电流消耗。当片选信号处于非激活状态时，器件自动进入低功耗待机模式，仅消耗微安级电流，从而延长电池供电系统的使用寿命。
该SRAM支持全静态操作，无需刷新周期，简化了系统设计并提高了可靠性。其双片选结构（CE1高有效，CE2低有效）提供了更灵活的地址解码方式，便于与其他外围设备共用地址总线，实现多芯片系统的无缝扩展。输出使能（OE）和写使能（WE）信号独立控制，支持总线共享和双向数据流管理，增强了系统的兼容性和可扩展性。
器件引脚与标准28-pin SRAM（如IS61LV16AL-45BLL）兼容，方便替代和系统升级。所有输入端均内置上拉或下拉电阻，防止悬空引脚引起的噪声干扰，提高抗干扰能力。同时，芯片具备良好的ESD保护机制，能够承受超过2000V HBM静电放电，提升了现场使用的鲁棒性。在工业级温度范围内，其电气参数经过严格测试，确保在极端环境下仍能保持稳定的数据存储和读写功能。
CY6116A-45DMB常用于需要中等容量、高速度、高可靠性的静态存储应用场景。典型应用包括嵌入式控制系统中的程序缓存或数据缓冲区，例如PLC（可编程逻辑控制器）、工业HMI（人机界面）设备以及数控机床的本地存储模块。在通信领域，该芯片可用于路由器、交换机或调制解调器中作为帧缓存或协议处理临时存储单元。
此外，它也广泛应用于医疗电子设备，如便携式监护仪、超声成像系统中用于图像帧的暂存，利用其快速读写能力保障实时图像显示流畅。测试与测量仪器（如示波器、频谱分析仪）使用该SRAM来存储采样数据，得益于其非易失性无关的即时访问特性，能够快速响应触发事件并保存关键信息。
由于其5V供电特性和TTL兼容接口，CY6116A-45DMB特别适用于基于传统8位或16位微控制器（如8051、MSP430、80C186等）的老式系统升级或维修替换。许多已停产设备的备件市场仍然依赖此类SRAM进行维护。此外，在FPGA或CPLD系统中，该芯片可用作外部数据缓冲区，协助实现高速接口协议（如PCMCIA、ISA总线扩展）。教育实验平台和开发板中也常采用该型号，帮助学生理解存储器接口时序与总线操作原理。
IS61LV16AL-45BLL
MS61LV168L-45T
AS6C1008-45PCN1
