时间：2025/8/23 14:54:40
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IXGR35N120B是一款由IXYS公司制造的高功率IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片，适用于高电压和高电流的功率电子应用。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点，能够在高效率和高可靠性下运行。
类型：IGBT
最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
最大集电极电流（IC）：35A
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
短路耐受能力：有
栅极阈值电压：5.5V至7.5V
导通压降（VCEsat）：2.1V（典型值）
IXGR35N120B具有优异的热性能和短路耐受能力，使其在高功率密度应用中表现出色。该器件采用先进的沟槽栅和场终止技术，以降低导通压降并提高开关性能。此外，IXGR35N120B具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在极端条件下的可靠性。其TO-247封装形式便于安装和散热，适合在工业环境中使用。芯片内部优化的结构设计降低了电磁干扰（EMI），并提高了整体系统的稳定性。
这款IGBT在开关过程中表现出较低的开关损耗，适用于高频操作环境。IXYS公司还为该器件提供了详细的技术文档和应用指南，以帮助工程师更好地设计和集成。IXGR35N120B在高功率变换器、逆变器和电机驱动系统中表现尤为突出。
IXGR35N120B广泛应用于工业电力电子设备，如电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、焊接设备和感应加热系统。此外，它也适用于可再生能源系统，如太阳能逆变器和风力发电变流器，以及电动汽车充电设备和轨道交通牵引系统。
FGA35N120D, IRGP35B60PD1, STGYR35NC120RH
