STD3NK60Z1是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的SuperMESH技术,具有低导通电阻、高耐压和高效率的特点,适用于需要高能效和高可靠性的电源转换应用,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池充电器和电机控制电路。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
漏极电流(Id):3.2A
导通电阻(Rds(on)):1.8Ω @ Vgs=10V
栅极电压(Vgs):±20V
功率耗散(Ptot):40W
封装形式:TO-220、D2PAK等
STD3NK60Z1的主要特性包括:
1. 低导通电阻:在VGS=10V时,RDS(on)最大值为1.8Ω,这有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。
2. 高耐压能力:漏源电压额定值为600V,适合用于高压应用环境,提供更强的电压波动承受能力。
3. 高可靠性:采用先进的SuperMESH技术,优化了器件的电场分布,提高了器件的热稳定性和长期工作的可靠性。
4. 快速开关特性:具有较低的栅极电荷(Qg)和输出电容(Coss),从而实现更快的开关速度,减少开关损耗。
5. 封装灵活:提供TO-220和D2PAK等多种封装形式,便于在不同应用中进行PCB布局和散热设计。
6. 宽温度范围:工作温度范围广,通常为-55°C至+150°C,适用于各种严苛的工作环境。
7. 保护特性:内置的体二极管可提供反向电流保护,适用于需要再生能量回馈的应用场景。
STD3NK60Z1广泛应用于多种电源管理和功率电子系统中,例如:
1. 开关电源(SMPS):适用于AC-DC电源适配器、工业电源和服务器电源等,提供高效的能量转换。
2. DC-DC转换器:用于隔离式和非隔离式DC-DC变换器中,实现不同电压等级之间的高效转换。
3. 电池充电器:在电池充电管理电路中作为主开关元件,实现对电池的恒流/恒压充电控制。
4. 电机驱动:适用于低功率电机控制和驱动电路,提供快速响应和高效能输出。
5. LED照明驱动:用于LED照明系统的恒流驱动电源中,提供高稳定性和长寿命。
6. 家用电器:如电磁炉、微波炉和洗衣机等家电产品中的功率控制模块。
7. 工业自动化:用于工业控制设备和自动化系统中的电源管理和功率开关模块。
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