时间：2025/11/4 6:06:34
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CY14B108N-BA25XI是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的8-Mbit（1 M × 8）的nvSRAM（非易失性静态随机存取存储器）芯片。该器件结合了高性能的SRAM和非易失性存储技术，利用了Quantum Tunneling Technology（量子隧穿技术）来实现数据在断电情况下的可靠保存。该芯片具有快速读写访问速度（最高可达25 ns的访问时间），适用于需要高速、高可靠性以及频繁数据记录的应用场景。CY14B108N-BA25XI采用工业标准的并行接口设计，兼容通用的SRAM时序，便于系统集成和替换传统SRAM。其非易失性功能无需电池支持，避免了电池备份带来的维护问题和环境影响。该器件广泛用于工业控制、通信设备、医疗仪器、测试测量设备及智能仪表等对数据完整性和持久性有严格要求的领域。
容量：8 Mbit
组织结构：1 M × 8
供电电压：2.7 V 至 3.6 V
访问时间：25 ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：44-pin TSOP II
接口类型：并行异步接口
写保护功能：硬件写保护（WP#引脚）
自动存储功能：支持（AutoStore）
电源电压检测：内置VDD监控电路
存储耐久性：100万亿次（1e14）存储操作
数据保持时间：20年（典型值）
总线保持功能：支持
CY14B108N-BA25XI的核心优势在于其采用的非易失性SRAM技术，它将高速SRAM与非易失性存储单元集成在同一芯片上。在正常工作状态下，该器件表现为一个标准的8位宽、1M地址空间的高速SRAM，支持25 ns的读写访问速度，能够满足高性能微处理器或DSP系统的实时数据处理需求。当系统发生断电或需要保存关键数据时，芯片内部的Power-Sense电路会自动检测VDD电压下降，并在电压降至安全阈值前触发自动存储（AutoStore）过程，将SRAM中的数据通过量子隧穿机制安全地转移到非易失性存储阵列中。该过程无需外部控制器干预，确保了数据保存的可靠性和即时性。
此外，该器件还支持软件启动的存储（Software Store）和软件恢复（Software Recall）功能，允许系统在正常运行期间主动控制数据的保存与恢复操作，提升了系统灵活性。由于采用无电池设计，避免了传统NV SRAM中使用锂电池带来的寿命限制、泄漏风险和环保问题。器件具备极高的写入耐久性，支持高达100万亿次的存储操作，远超EEPROM和Flash等传统非易失性存储器，适用于需要频繁数据记录的应用场景，如工业PLC的数据日志、网络设备的配置快照、医疗设备的患者参数记录等。内置的VDD检测电路和写保护引脚（WP#）进一步增强了数据安全性，防止在电源不稳定或异常情况下发生误写操作。
CY14B108N-BA25XI广泛应用于需要高速、高可靠性数据存储的工业和嵌入式系统中。典型应用场景包括工业自动化控制系统中的PLC（可编程逻辑控制器），用于实时保存工艺参数、运行状态和故障日志；在通信基础设施中，如路由器、交换机和基站设备，用于快速保存配置信息和运行统计数据，确保设备重启后能迅速恢复工作状态；在医疗电子设备中，如监护仪、影像设备和诊断仪器，用于存储患者数据和校准信息，保障数据完整性；在测试与测量仪器中，如示波器、频谱分析仪，用于缓存测量结果和设置参数；此外，还可用于智能电表、POS终端、军事和航空航天电子系统等对数据持久性和可靠性要求极高的领域。其高速并行接口和免电池特性使其成为替代传统电池供电SRAM和串行非易失性存储器的理想选择。
CY14B108Q-BA25XI
CY14B108N-BA25XIT
CY14B108M-BA25XI
