时间：2025/6/29 2:49:48
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CGA8N1C0G3F271K230KA 是一款由东芝（Toshiba）生产的沟道 MOSFET 芯片，专为高效率开关应用设计。这款器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电源管理场景，例如 DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等。其封装形式为行业标准的 DPAK 封装，有助于提升散热性能并简化 PCB 布局设计。
该型号属于 Toshiba 的 N 沟道增强型功率 MOSFET 系列，具有较高的电流处理能力和出色的热稳定性，非常适合需要高效能和高可靠性的电子系统。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：54A
导通电阻（典型值）：1.6mΩ
栅极电荷：69nC
总电容：1800pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：DPAK（TO-252）
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低功耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用，减少磁性元件尺寸。
3. 具备出色的热稳定性，能够承受长时间高负载运行。
4. 支持宽泛的工作温度范围，适应极端环境条件。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
6. 内置反向二极管，进一步优化同步整流和续流电路设计。
7. 采用坚固耐用的 DPAK 封装，易于焊接和安装，同时提供良好的散热性能。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流功能。
2. 电机驱动控制，尤其是无刷直流电机（BLDC）和步进电机。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率级控制。
5. 汽车电子领域，如车身控制模块（BCM）、LED 驱动器及逆变器。
6. 高效 DC-DC 转换器设计中的功率晶体管角色。
7. 各种便携式电子设备中的电源管理和配电方案。
IRFZ44N
FDP5800
STP55NF06L
