时间：2025/7/22 17:09:04
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25P80V6是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高功率开关应用。该器件具有高电压和高电流处理能力，适用于电源管理、电机控制和功率转换等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：25A
漏极-源极击穿电压（Vds）：80V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约0.06Ω
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）或TO-220
25P80V6具备低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件还具有较高的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下稳定运行。此外，其快速开关特性使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和电机驱动器。
该MOSFET的封装设计有助于有效的热量管理，确保在高电流操作下的稳定性。同时，其宽泛的工作温度范围使得25P80V6适用于工业级和汽车级应用环境。
25P80V6广泛应用于电源管理系统、电动工具、电池供电设备、DC-DC转换器、电机控制器以及汽车电子系统。在这些应用中，其高电压和高电流能力使其成为理想的选择。
IRFZ44N, FDP80N03SL, STP40NF10, FQP27N06L
