存储容量：4 Mbit (512K × 8)
　　接口类型：SPI (支持模式0和3)
　　时钟频率：最大25 MHz
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8-SOIC (Narrow)
　　写入耐久性：10^14 次/字节
　　数据保持时间：10年 @ +85°C，95年 @ +65°C
　　待机电流：典型值 20 μA
　　工作电流：典型值 5 mA @ 25 MHz
　　写保护功能：软件和硬件写保护
　　自定时写周期：无（即时写入）
　　存储器写入时间：≤ 150 ns

CY14B104LA-ZS25XIT的核心技术基于铁电随机存取存储器（F-RAM），这是一种利用铁电材料作为介电层的电容结构来实现数据存储的技术。与传统EEPROM或Flash不同，F-RAM在写入过程中不需要长时间的编程周期，而是通过改变铁电晶体的极化方向来实现数据的即时写入，因此具备“无延迟写入”特性。这种机制使得每次写入操作都能在总线周期完成后立即完成，无需等待写入完成信号，极大提升了系统的响应速度和整体效率。由于其写入过程不涉及高电压编程或擦除操作，因此功耗极低，特别适合电池供电或能量受限的应用场景。
　　F-RAM的另一个显著优势是极高的写入耐久性。传统EEPROM通常仅支持约10万到100万次写入，而CY14B104LA-ZS25XIT可支持高达100万亿次（10^14）的写入操作，这意味着即使每秒进行数千次写入，器件也能持续工作数十年而不出现磨损。这一特性使其成为需要频繁更新数据的应用的理想选择，例如工业控制系统中的实时数据采集、智能仪表的计量记录、医疗设备的生命体征日志等。
　　该器件采用标准SPI接口，兼容性好，易于与各种微控制器连接。支持SPI模式0（CPOL=0, CPHA=0）和模式3（CPOL=1, CPHA=1），用户可通过配置寄存器选择所需的工作模式。指令集简洁明了，包括读、写、写使能、写禁止、读状态寄存器等基本命令，简化了软件开发流程。此外，芯片内置写保护机制，可通过WP引脚实现硬件写保护，也可通过状态寄存器设置软件写保护，防止意外修改重要数据。
　　CY14B104LA-ZS25XIT还具备卓越的数据保持能力，在+85°C环境下可保持数据至少10年，在常温下可达95年以上。器件内部集成上电复位（POR）电路，确保在电源上升过程中自动初始化，避免因电源不稳定导致的状态不确定问题。所有写入操作均为自动定时，无需外部干预，进一步降低了系统设计复杂度。

CY14B104LA-ZS25XIT因其高耐久性、快速写入和低功耗特性，广泛应用于多个对数据完整性要求较高的领域。在工业自动化中，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器节点和远程终端单元（RTU）中，用于实时记录生产参数、故障日志和设备配置信息。由于其能够承受极端温度和恶劣电磁环境，非常适合部署在工厂车间或户外监控系统中。
　　在医疗设备领域，该芯片可用于病人监护仪、血糖仪、便携式诊断设备等，用于保存患者的测量数据、校准参数和使用历史。其高可靠性确保了关键健康信息不会因频繁读写或突发断电而丢失，满足医疗行业对数据安全性的严格要求。
　　在汽车电子中，CY14B104LA-ZS25XIT可用于车身控制模块、胎压监测系统（TPMS）和车载信息娱乐系统，用于存储用户偏好设置、行驶记录和系统配置。其宽温特性和抗振动能力使其适应复杂的车载环境。
　　此外，在智能仪表如电表、水表和气表中，该芯片用于记录用量数据和事件日志，支持每日多次写入而无需担心寿命问题。在消费类电子产品中，也可用于打印机墨盒识别、游戏外设配置存储等场景，提供比传统EEPROM更优的性能表现。

FM25V05-GTR