电容值：33nF
　　容差：±10%
　　额定电压：25V DC
　　介电材料：X7R
　　温度特性：±15% @ -55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0805（2.0mm × 1.25mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：≥4000MΩ 或 时间常数 ≥1000秒
　　损耗因数（DF）：≤2.5%
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　端接类型：Ni/Sn（镍/锡）
　　包装形式：卷带（Tape and Reel）

X7R是一种稳定的EIA II类陶瓷介电材料，具备相对较高的介电常数，能够在较小封装内实现较大的电容值。相比于Y5V或Z5U等III类材料，X7R在温度变化下的电容稳定性更优，其电容值在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）的变化不超过±15%，这使得它非常适合用于对电容稳定性有一定要求但又需要比COG/NPO更高容量的应用场合。0805B333K251CT利用X7R介质实现了33nF的大容量与0805小尺寸之间的良好平衡，避免了使用更大封装带来的空间浪费问题。
　　该电容器具有较低的等效串联电阻（ESR）和适中的等效串联电感（ESL），使其在中高频去耦应用中表现出色，尤其是在MHz频段的噪声抑制方面效果明显。此外，X7R MLCC的直流偏压特性虽然不如I类陶瓷电容（如C0G）理想，但在25V额定电压下，0805B333K251CT仍能保持较大部分的标称电容值，尤其当实际工作电压低于额定值一半时，容量衰减较为轻微。这对于大多数低压电源轨去耦来说是可以接受的。
　　该器件采用镍阻挡层和锡覆盖的端子结构（Ni/Sn），提高了抗湿性和可焊性，同时有效防止银迁移现象，增强了长期可靠性。其符合无铅焊接工艺要求，适用于高温回流焊流程（峰值温度可达260°C）。作为批量生产的标准化产品，0805B333K251CT具备出色的批次一致性与高可靠性，在自动化贴片生产线上易于处理，支持高速SMT组装。此外，该电容不具极性，安装时无需考虑方向，进一步简化了电路设计与装配流程。

0805B333K251CT广泛应用于各类电子系统中的去耦与旁路电路，特别是在数字IC的电源引脚附近用作局部储能元件，以抑制瞬态电流引起的电压波动。例如，在微处理器、FPGA、ASIC和逻辑门阵列的VCC与GND之间并联多个此类电容，可有效降低电源阻抗，提升系统稳定性。在开关电源（SMPS）和DC-DC转换器设计中，该电容常被用于输入滤波和输出平滑环节，配合电感构成LC滤波网络，减少纹波电压和电磁干扰（EMI）。
　　在模拟前端电路中，该电容可用于构建低通或带通滤波器，尤其适用于中低频信号路径中的耦合与去耦操作。在传感器接口、ADC/DAC参考电压缓冲、音频放大器旁路等场景中，X7R电容因其足够的稳定性而被广泛采用。此外，在工业控制模块、PLC单元、电机驱动板和嵌入式控制器中，该器件承担着电源轨净化、噪声抑制和瞬态保护的功能。
　　消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备也大量使用类似规格的MLCC进行内部电源管理单元的优化。通信设备如路由器、交换机和基站模块同样依赖这类高密度、高性能陶瓷电容来保障信号完整性和供电质量。由于其工作温度范围宽，也可用于汽车电子中的非引擎舱区域（如信息娱乐系统、车载导航等），满足AEC-Q200部分等级要求（需确认具体版本是否通过认证）。总之，0805B333K251CT是一款通用性强、性价比高的表面贴装电容，适用于绝大多数中等精度、中等频率的电路设计需求。

[
　　 "C0805X7R1H333K",
　　 "GRM21BR71H333KA01L",
　　 "CL21B333KBANNNC",
　　 "ECJ-2VB1H333J",
　　 "SRP0805FA330JA"
　　]