您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CY14B101LA-SP45XIT

CY14B101LA-SP45XIT 发布时间 时间:2025/11/3 15:54:44 查看 阅读:13

CY14B101LA-SP45XIT是Cypress(现属于英飞凌Infineon Technologies)推出的一款具有高可靠性、低功耗特性的串行F-RAM(铁电随机存取存储器)与实时时钟(RTC)集成的非易失性存储器芯片。该器件结合了FRAM技术的高速读写、几乎无限次的写入耐久性和数据非易失性优势,同时集成了一个高精度实时时钟模块,适用于需要频繁记录时间戳或事件日志的应用场景。CY14B101LA-SP45XIT采用I2C通信接口,工作电压范围为3.0V至3.6V,适合工业级应用环境。其内置的RTC提供秒、分、小时、日期、月份和年份信息,并支持闰年补偿以及自动电池切换功能,在主电源失效时可由备用电池维持RTC运行和内存数据保存。此器件广泛应用于工业控制系统、智能仪表、医疗设备、汽车电子及需要长期可靠数据记录的嵌入式系统中。

参数

存储容量:1 Mbit (128 K × 8)
  存储类型:F-RAM + RTC
  接口类型:I2C
  工作电压:3.0V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  时钟精度:±3.5 ppm(在25°C下)
  数据保持时间:超过20年(在无电源情况下)
  写入耐久性:> 10^14 次写入周期
  封装形式:SOIC-8
  备电切换:自动电源检测与切换
  实时时钟功能:具备
  通信速率:最高支持400 kHz I2C模式

特性

CY14B101LA-SP45XIT的核心特性之一是其采用的铁电随机存取存储器(F-RAM)技术,这种存储介质不同于传统的EEPROM或闪存,它结合了RAM的高速读写能力和非易失性存储的特点。F-RAM使用铁电电容作为存储单元,能够在断电后仍然保留数据,且无需额外的写入延迟或擦除操作。这使得该器件支持近乎无限的写入耐久性,典型值可达10^14次写入循环,远高于EEPROM的10^5~10^6次,极大地提升了系统的可靠性与寿命。
  另一个关键特性是集成了高精度实时时钟(RTC),能够持续跟踪时间与日期信息,包括秒、分、小时、星期、日、月和年,并具备闰年自动校正功能。RTC模块在主电源掉电时可通过外部备用电池(如锂电池)继续运行,确保时间信息不丢失。器件内部包含精密的振荡电路和温度补偿机制,在常温25°C下时钟精度可达±3.5 ppm,相当于每月误差小于0.9秒,满足对时间精度要求较高的应用场景。
  该芯片还具备智能电源管理功能,能够自动检测主电源状态并在掉电时无缝切换至备用电源,保护RTC和F-RAM中的数据。此外,其I2C接口兼容标准模式(100 kHz)和快速模式(400 kHz),便于与各种微控制器连接,简化系统设计。低功耗设计使其在主动工作和待机状态下均消耗极少电流,适用于电池供电或能量受限的系统。整体而言,CY14B101LA-SP45XIT通过将高性能F-RAM与高精度RTC集成于单一芯片中,提供了紧凑、高效、可靠的解决方案,特别适合用于工业自动化、远程监控、数据采集终端等需要频繁写入并精确记录时间戳的应用场合。

应用

工业自动化控制系统中的数据记录与时间戳标记
  智能电表、水表、气表等公用事业计量设备
  医疗监测设备中的事件日志存储
  汽车黑匣子或车载事件记录仪
  远程传感器节点与物联网终端设备
  需要长时间运行且断电不失效的时间同步系统

替代型号

RV3028-C7
  DS3231SN
  FM24V10-G

CY14B101LA-SP45XIT推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

CY14B101LA-SP45XIT资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

CY14B101LA-SP45XIT参数

  • 数据列表CY14B101LA/NA
  • 标准包装1,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存储容量1M (128K x 8)
  • 速度45ns
  • 接口并联
  • 电源电压2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳48-BSSOP(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商设备封装48-SSOP
  • 包装带卷 (TR)