时间：2025/8/24 17:56:34
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HUFA75644S3 是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于DC-DC转换器、电源管理、负载开关以及各种功率控制场合。HUFA75644S3 为P沟道MOSFET，封装形式为SOP（Small Outline Package）。
类型：P沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：-4.4A
导通电阻 Rds(on)：80mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOP-8
功耗（Pd）：2.5W
HUFA75644S3 MOSFET具有多项关键性能优势。首先，其低导通电阻（仅80mΩ）可显著降低导通损耗，提高系统效率，特别适用于高频率开关应用。其次，该器件的P沟道设计使其在高端开关应用中具有出色的性能，能够有效地作为负载开关或DC-DC转换器中的控制元件。
该MOSFET采用SOP-8封装，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，非常适合空间受限的电路设计。此外，其±20V的栅源电压耐受能力增强了栅极驱动的兼容性，支持与多种控制IC的直接连接。
该器件的工作温度范围宽达-55°C至150°C，适用于工业级和车载电子等严苛环境下的稳定运行。其热稳定性强，能够承受短时过载而不损坏，提高了系统的可靠性和安全性。
HUFA75644S3 主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池供电设备以及各类工业自动化设备中。其低Rds(on)和SOP封装使其特别适合便携式电子产品和嵌入式系统的电源控制模块。
Si4435BDY-T1-GE3, IRML2803, FDS6680, AO4406A
