型号：CY14B101L-SZ35XC
　　容量：1 Mbit (128 K × 8)
　　供电电压：3.3V ± 0.3V
　　访问时间：35 ns
　　接口类型：并行异步接口
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：44-pin SOIC
　　非易失性存储技术：基于外部锂电池或内部电容的能量存储实现STORE/RECALL
　　写保护功能：支持硬件WP引脚和软件写保护
　　数据保持时间：超过20年（典型值）
　　擦写次数：> 1,000,000 次
　　最大待机电流：50 μA（典型值）
　　主动工作电流：约 50 mA（典型读取操作）

CY14B101L-SZ35XC的核心特性之一是其非易失性数据存储能力，它通过集成一个备用电源监控电路和能量存储元件（如外接锂电池或超级电容）来实现SRAM内容在断电时的自动保存。当系统电源VCC下降到预设阈值以下时，器件会立即启动STORE操作，将当前SRAM中的全部数据复制到内部非易失性存储区域，整个过程无需微处理器干预，确保关键数据不会因突发断电而丢失。该STORE操作通常在毫秒级别内完成，响应迅速且高度可靠。
　　另一个重要特性是其高速并行接口设计，支持35ns的访问时间，能够满足对实时性要求极高的应用场景。该器件完全兼容标准异步SRAM时序，允许用户在不更改硬件设计的前提下，直接替代普通SRAM以提升系统数据安全性。这使得CY14B101L-SZ35XC成为工业PLC、POS终端、路由器缓存等需要频繁更新并长期保存数据的系统的理想选择。
　　此外，CY14B101L-SZ35XC具备多重数据保护机制，包括硬件写保护引脚（WP#）、软件写保护命令以及上电/掉电时序控制逻辑。这些机制有效防止了非法或误操作导致的数据损坏。器件还支持数据轮询功能，主机可通过读取特定地址判断STORE或RECALL操作是否完成，从而实现精确的状态管理。
　　在可靠性方面，该芯片采用高耐久性的设计，支持超过一百万次的数据存储/恢复循环，远高于传统的EEPROM或Flash存储器。同时，其20年以上的数据保持能力确保了长期归档信息的安全性。所有内部操作均由专用状态机控制，减轻主控CPU负担，并保证操作一致性。

CY14B101L-SZ35XC主要应用于对数据完整性、持久性和访问速度有严格要求的嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于可编程逻辑控制器（PLC）、人机界面（HMI）和数控机床中，用于实时保存运行参数、生产计数和故障日志，避免因意外断电造成数据丢失，保障生产连续性。
　　在网络通信设备中，该芯片被广泛用于路由器、交换机和基站控制器的配置缓存模块，用于暂存动态路由表、连接状态和系统设置，在系统重启后能快速恢复配置，缩短启动时间，提高服务可用性。
　　在金融和零售终端设备如POS机、ATM和票据打印机中，CY14B101L-SZ35XC用于记录交易流水、票据信息和安全密钥，确保每一笔交易都能在断电后完整还原，满足金融级数据安全标准。
　　此外，在医疗设备如监护仪、超声成像系统和实验室分析仪器中，该器件用于保存患者测量数据、校准参数和操作历史，支持设备在断电后继续提供准确的历史记录，符合医疗行业对高可靠性的法规要求。
　　航空航天与国防系统也利用其宽温特性和抗辐射设计，在飞行控制系统、雷达信号处理单元中作为临时数据缓冲和事件记录器使用，确保极端环境下关键信息不丢失。

CY14B101N-SZ35XIT
　　CY14B101L-SZ45XIT
　　ABOX0101A-SE-PBFREE
　　XM28LV101BSZ35PC