时间：2025/9/2 2:48:22
阅读：31
H9HCNNN8KUMLHR-NLN 是由SK hynix（海力士）生产的一款高性能、低功耗的LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）同步动态随机存取存储器（SDRAM）芯片。该芯片被广泛应用于移动设备、平板电脑、嵌入式系统以及其他对功耗和性能有较高要求的电子产品中。这款LPDDR4存储器具有高带宽和低电压特性，有助于提高系统性能并延长设备电池寿命。
类型：LPDDR4 SDRAM
容量：8Gb（Gigabit）
组织结构：x16
电压：1.1V（核心电压VDD），1.0V（I/O电压VDDQ）
封装：BGA（球栅阵列封装）
封装尺寸：根据具体应用可能为9x12mm或类似尺寸
数据速率：3200Mbps/4266Mbps（不同版本）
工作温度范围：-40°C至+85°C
H9HCNNN8KUMLHR-NLN 具备多项先进特性，包括高速数据传输能力、低功耗设计以及高集成度。其核心电压为1.1V，而I/O电压为1.0V，这使得该芯片在保持高性能的同时显著降低功耗，非常适合移动设备使用。该芯片支持差分时钟信号（CK_t/CK_c）、数据选通（DQS_t/DQS_c）以及命令/地址信号的片上终端（ODT）功能，有助于提高信号完整性和稳定性。
此外，该芯片采用双倍数据速率架构，能够在时钟的上升沿和下降沿同时传输数据，从而实现更高的带宽。它还支持多种刷新模式（如自动刷新和自刷新），以确保数据完整性并进一步优化功耗。H9HCNNN8KUMLHR-NLN 的BGA封装形式不仅节省空间，而且提供了良好的散热性能，适用于紧凑型设计和高密度电路板布局。
该芯片还支持突发长度（BL）为16，允许在单个突发操作中传输大量数据，提升数据吞吐能力。同时，它还具备预取功能，可以预取多个数据字节，从而减少访问延迟并提高整体系统效率。
H9HCNNN8KUMLHR-NLN 主要用于需要高性能和低功耗存储解决方案的设备，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式游戏机以及嵌入式计算平台。此外，该芯片也适用于工业控制系统、车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）以及物联网（IoT）设备等对功耗和性能有严格要求的应用场景。其高带宽特性使其特别适合处理图形密集型任务、视频流传输以及多任务处理等应用场景。
H9HCNNN8KUMUBRV-NLN, H9HKNNN8GUMUBRV-NLN, H9HPNNN8GAMUDYR-N04G
