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AON7405 发布时间 时间:2025/6/22 0:34:03 查看 阅读:5

AON7405是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理应用。AON7405采用小型化的封装形式,适合空间受限的设计需求。

参数

型号:AON7405
  类型:N沟道增强型MOSFET
  封装:SOT-23
  VDS(漏源极电压):30V
  RDS(on)(导通电阻):120mΩ
  IDS(连续漏极电流):4.8A
  BVDSS(击穿电压):30V
  栅极电荷:9nC
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

AON7405具有较低的导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高效率。
  该器件具备快速开关性能,使其非常适合高频应用环境。
  其紧凑的SOT-23封装形式使得它非常适配于需要节省印刷电路板空间的应用场景。
  AON7405还具有良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
  此外,这款MOSFET支持高效的DC-DC转换器设计,可应用于负载开关、电机驱动和电池保护等领域。

应用

AON7405广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。
  具体应用包括但不限于:
  便携式电子设备中的负载开关功能。
  各种类型的DC-DC转换器设计。
  电机驱动与控制电路。
  电池管理系统中的保护机制。
  其他任何需要高效功率切换的应用场景。

替代型号

AO3400
  IRLML6401
  FDP150AN
  Si2303DS

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AON7405参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.2 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.8V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs51nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2940pF @ 15V
  • 功率 - 最大6.25W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-DFN-EP(3.3x3.3)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1305-6