时间：2025/12/26 9:04:57
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B160Q-13-F是一款由Diodes Incorporated生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用SOD-123FL小型表面贴装封装。该器件专为高效率、高频开关应用设计，适用于需要低正向压降和快速恢复特性的电路环境。B160Q-13-F的额定平均正向整流电流为1A，最大重复峰值反向电压为60V，使其在低压直流-直流转换器、电源管理单元、反向极性保护以及输入输出整流等场景中表现出色。该二极管具有低功耗特性，得益于其肖特基结构带来的低VF（正向电压）性能，在轻负载和中等负载条件下能显著提升系统能效。此外，SOD-123FL封装尺寸紧凑，典型尺寸仅为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm，适合对空间要求严格的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备及物联网终端产品。器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性与可靠性，能够在工业级温度范围内稳定工作。
类型：肖特基二极管
封装：SOD-123FL
是否无铅：是
是否符合RoHS：是
最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
最大直流阻断电压（VR）：60V
最大平均正向整流电流（IO）：1A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（@8.3ms单半正弦波）
最大正向电压（VF）：540mV @ 1A（典型值），800mV @ 1A（最大值）
最大反向漏电流（IR）：200μA @ 60V，25°C；5mA @ 60V，125°C
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
热电阻（RθJA）：约250°C/W（依PCB布局而定）
安装方式：表面贴装
B160Q-13-F的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构通过金属-半导体结代替传统的PN结，从而实现了极低的正向导通压降和几乎无反向恢复时间的开关特性。在实际应用中，这意味着当器件处于导通状态时，能量损耗被大幅降低，尤其在持续大电流工作的DC-DC变换器或同步整流拓扑中，能够有效减少发热并提高整体电源效率。其典型正向电压仅为540mV @ 1A，相较于传统硅二极管（通常在800mV以上），可节省约25%的导通损耗。同时，由于没有少数载流子的累积效应，B160Q-13-F具备极快的开关响应速度，反向恢复时间趋近于零，这使其非常适合用于高频开关电源设计，避免了因反向恢复电荷引起的尖峰电流和电磁干扰问题。
该器件还具备出色的热性能和长期可靠性。尽管其封装小巧，但在合理设计的PCB焊盘布局下，仍能实现良好的散热能力。内部芯片连接采用先进工艺确保机械强度和电气稳定性，经过严格的老化测试和环境应力筛选，保证在-55°C至+125°C的工作结温范围内性能一致。此外，B160Q-13-F具有较低的反向漏电流，在常温25°C时最大仅200μA @ 60V，即便在高温125°C环境下也控制在5mA以内，这对保持待机模式下的系统低功耗至关重要。综合这些特性，B160Q-13-F不仅满足消费类电子产品对小型化和高效能的需求，也能适应工业控制、通信模块和汽车电子中的严苛运行条件。
B160Q-13-F广泛应用于各类需要高效整流与低损耗开关功能的电子系统中。常见用途包括便携式设备中的电池充电管理电路，作为防止反向电流流动的防倒灌二极管；在同步整流型DC-DC转换器中担任续流或输出整流角色，替代传统快恢复二极管以提升转换效率；也可用于AC-DC适配器、USB供电模块和LED驱动电源中的次级侧整流环节。此外，该器件适用于各种极性保护电路，例如在电源输入端防止因接线错误导致设备损坏，广泛见于工业传感器、智能家居控制器和车载电子模块中。
由于其高频响应能力和小封装特性，B160Q-13-F也常被用于高频开关电源拓扑，如反激式（Flyback）、正激式（Forward）和降压型（Buck）转换器中，特别是在追求高功率密度的设计中表现优异。在多路电源系统中，可用于OR-ing二极管实现冗余电源切换，确保主备电源无缝衔接。此外，因其具备一定的浪涌承受能力（30A @ 8.3ms），在面对瞬态电流冲击时仍能保持稳定运行，适合用于接口保护电路，如USB端口、Ethernet供电（PoE）前端或信号线路的钳位与隔离。总之，该器件凭借其高性能与紧凑尺寸，已成为现代电源管理系统中不可或缺的基础元件之一。
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"MBRS160T3G",
"RB160M-30",
"SS16",
"SK160",
"BAT54C"
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