时间：2025/9/3 20:58:59
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MAZ3150-H 是一款由 MagnaChip 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高效率的功率转换和开关应用。这款 MOSFET 具有低导通电阻、高耐压能力和较大的连续漏极电流能力，适用于各种电源管理应用，如 DC-DC 转换器、电源适配器、电机驱动和负载开关。MAZ3150-H 采用 TO-252 封装（也称为 DPAK），便于安装在 PCB 上，并具有良好的散热性能。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 Vds：30V
最大栅源电压 Vgs：20V
最大连续漏极电流 Id：150A
导通电阻 Rds(on)：4.8mΩ @ Vgs=10V
导通电阻 Rds(on)：6.2mΩ @ Vgs=4.5V
功耗：125W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：TO-252 (DPAK)
MAZ3150-H 具有非常低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。该器件的低 Rds(on) 还有助于减少发热，从而提高系统的稳定性和可靠性。
此外，MAZ3150-H 的最大漏源电压为 30V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中低压功率转换应用。其高电流能力（150A）使其非常适合用于需要大电流输出的场合，如电动工具、工业电机驱动和高功率 LED 驱动。
该 MOSFET 的 TO-252 封装设计不仅节省空间，还具备良好的热管理能力，能够有效地将热量从芯片传导出去，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。此外，这种封装形式易于焊接和安装，适合表面贴装工艺。
MAZ3150-H 的栅极驱动电压范围较宽（可支持 4.5V 和 10V 驱动），使其兼容多种驱动电路设计，适用于不同类型的控制器和驱动芯片。其高可靠性设计也使其能够在恶劣环境中稳定工作，适用于工业级应用。
MAZ3150-H 主要用于各类功率转换和开关电路中，例如同步整流 DC-DC 转换器、电源适配器、电池充电器、电机控制器、负载开关和电源管理系统。其高电流能力和低导通电阻特性使其特别适用于需要高效率和大电流输出的电源模块和嵌入式系统。此外，该器件也可用于汽车电子系统、工业自动化设备和消费类电子产品中的功率管理电路。
SiR178DP-T1-GE3, FDS4410A, IRLB8721, AO4406, IPP045N03L G
