时间：2025/6/17 6:50:46
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TPSE23T35B3.0B 是一款高效能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，能够有效提升电路效率并降低功耗。
该芯片设计为 N 沟道增强型场效应晶体管，适用于多种需要高性能功率转换的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压Vds：35V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：23A
导通电阻Rds(on)：3.0mΩ
总栅极电荷Qg：47nC
输入电容Ciss：2960pF
输出电容Coss：180pF
反向传输电容Crss：83pF
结温范围Tj：-55℃ 至 +175℃
TPSE23T35B3.0B 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，仅为 3.0mΩ，可以显著降低导通损耗，从而提高整体系统效率。
2. 高电流承载能力，连续漏极电流高达 23A，适合大功率应用。
3. 快速开关特性，总栅极电荷 Qg 仅为 47nC，有助于减少开关损耗。
4. 优秀的热稳定性，能够在极端温度条件下（-55℃ 至 +175℃）稳定工作。
5. 小封装尺寸，便于 PCB 布局设计，同时保持较高的功率密度。
6. 高耐压能力，最大漏源电压 Vds 达到 35V，提供更高的安全裕度。
7. 内部集成的保护功能使其在过流、过热等异常情况下依然能够保持稳定运行。
TPSE23T35B3.0B 广泛应用于各种需要高性能功率转换的领域，包括但不限于以下应用场景：
1. 开关电源（Switching Power Supplies），用于 AC-DC 和 DC-DC 转换。
2. 电机驱动控制，如无刷直流电机（BLDC）控制器。
3. 工业自动化设备中的负载开关。
4. 太阳能逆变器及储能系统的功率管理。
5. 电动汽车充电模块及电池管理系统。
6. 笔记本电脑适配器及其他便携式电子设备的电源管理部分。
TPSE23T35B3.5B, IRFZ44N, FDP5570
