时间：2025/11/3 21:33:26
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CY14B101K-SP45XC是一款由Infineon Technologies（英飞凌）公司生产的非易失性RAM（NVSRAM）芯片，结合了高性能的SRAM与非易失性存储技术。该器件基于先进的SONOS（Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon）技术，能够在无需外部电池或超级电容的情况下实现数据的非易失性存储。CY14B101K-SP45XC的存储容量为1 Mbit（128 K × 8位），支持快速读写操作，访问时间低至45纳秒，适用于对数据保存速度和可靠性要求较高的工业、通信和嵌入式系统应用。该芯片具备自动存储（AutoStore）和软件存储（Software Store）功能，在断电时可自动将SRAM中的关键数据保存到非易失性存储单元中，确保数据完整性。同时，它还支持无限次的读写操作，并提供高达10年的非易失性数据保留能力，极大地增强了系统的可靠性和维护便利性。封装形式为44引脚SOIC，符合工业级温度范围（-40°C至+85°C），具备良好的抗干扰能力和环境适应性，适合在严苛工作条件下稳定运行。
品牌：Infineon Technologies
产品系列：Excelon Ultra High Endurance NVSRAM
存储容量：1 Mbit
组织结构：128K × 8
接口类型：并行异步
最大访问时间：45 ns
工作电压：3.3V ± 0.3V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：44-Pin SOIC
非易失性写周期耐久性：> 10^14 次
数据保持时间（非易失性）：10 年 @ 最高工作温度
存储触发方式：硬件STORE# 引脚、AutoStore、Software Store
写保护功能：支持通过WP#引脚或软件禁用存储操作
JEDEC标准兼容性：符合JESD22-A117非易失性存储器耐久性测试规范
CY14B101K-SP45XC的核心特性之一是其采用的SONOS非易失性技术，该技术相较于传统的EEPROM或Flash具有更高的写入耐久性和更快的存储速度。传统非易失性存储器通常只能承受10万到100万次写入周期，而CY14B101K-SP45XC的非易失性写入耐久性超过10^14次，几乎可以视为无限次写入，特别适用于需要频繁保存状态信息的应用场景，例如工业PLC、网络路由器配置备份、医疗设备日志记录等。这种卓越的耐久性源于SONOS结构在编程/擦除过程中对隧道氧化层的低应力操作，从而极大延长了器件寿命。
CY14B101K-SP45XC支持三种数据存储模式：自动存储（AutoStore）、硬件触发存储（Hardware Store）和软件控制存储（Software Store）。AutoStore功能在检测到VCC下降至阈值电压以下时，自动将SRAM中的数据复制到非易失性存储区，无需主机干预，提升了系统断电保护的可靠性。此外，用户也可通过拉低专用的STORE#引脚来手动触发存储操作，或者通过特定的软件指令序列执行存储，提供了极大的灵活性。这些机制确保关键数据在系统异常掉电时仍能安全保存。
该器件的SRAM部分具备标准异步SRAM的高速访问能力，45ns的访问时间使其能够无缝替代传统SRAM，同时增加非易失性优势。其3.3V单电源供电设计简化了系统电源架构，内部集成了数据保持所需的电荷泵和存储管理电路，无需外部电池即可实现“无电池NVSRAM”方案，降低了系统复杂度和维护成本。此外，器件还具备写保护功能，可通过WP#引脚或软件锁定存储操作，防止误写或非法访问，增强数据安全性。整体设计符合RoHS标准，适用于高可靠性工业与汽车电子系统。
CY14B101K-SP45XC广泛应用于需要高速数据写入与长期非易失性保存的关键系统中。在工业自动化领域，常用于可编程逻辑控制器（PLC）中的实时状态保存、运动控制参数缓存以及故障日志记录，确保在突然断电后仍能恢复运行状态。在通信基础设施中，该芯片可用于基站、交换机和路由器中存储配置信息、校准数据和运行统计，避免因频繁写入导致Flash寿命耗尽的问题。在医疗设备方面，如监护仪、影像设备和便携式诊断仪器，CY14B101K-SP45XC可用于保存患者数据、设备设置和使用日志，满足高可靠性和长寿命的要求。此外，在测试与测量仪器、航空航天电子系统以及智能电表中也有广泛应用。由于其无需电池的设计，也特别适合绿色环保和免维护系统设计，减少了定期更换电池的人工成本和潜在泄漏风险。对于需要替代传统SRAM+EEPROM组合方案的设计者而言，CY14B101K-SP45XC提供了一个高度集成、高性能且可靠的解决方案。
CY14B101KA-SP45SXI
