时间：2025/8/14 15:49:50
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GDZJ24B 是一款由 GAN Semiconductor（纳微半导体）推出的氮化镓（GaN）功率晶体管，基于其先进的 GaN-on-Si 外延技术制造。该器件是一种常关型（normally-off）高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频、高效率的功率转换应用。GDZJ24B 采用高密度封装技术，具备出色的导通和开关性能，适用于诸如快充适配器、无线充电、太阳能逆变器和工业电源等高功率密度应用场景。
漏源电压（VDS）：650V
漏极电流（ID）：30A
导通电阻（RDS(on)）：24mΩ
栅极电压范围：-5V 至 7V
最大工作温度：150°C
封装类型：DFN12x8
功率耗散：200W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
GDZJ24B 的核心优势在于其基于氮化镓材料的高性能功率晶体管结构。氮化镓材料具有极高的电子迁移率，使得该器件在高频开关条件下仍能保持低导通损耗和开关损耗，显著提高电源转换效率。其 650V 的漏源耐压能力使其适用于多种 AC/DC 和 DC/DC 转换拓扑，如图腾柱 PFC、LLC 谐振变换器和同步整流器。
此外，GDZJ24B 采用先进的封装技术，具备良好的热管理和低寄生电感设计，有助于在高开关频率下稳定工作。该器件的栅极驱动兼容标准 6V 至 7V 驱动信号，简化了与现有驱动 IC 的兼容性设计问题。同时，其 30A 的连续漏极电流能力使其适用于中高功率密度应用，例如 65W 至 200W 的快充电源适配器。
在可靠性方面，GDZJ24B 经过严格测试，具备良好的短路耐受能力和温度稳定性，确保在复杂工况下仍能稳定运行。其常关型设计（normally-off）也增强了系统的安全性，降低了在故障条件下发生直通短路的风险。
GDZJ24B 主要用于需要高效率、高功率密度和高频开关性能的电力电子系统中。典型应用包括 USB PD 快充电源适配器、无线充电发射端、服务器电源、光伏逆变器、电机驱动器以及工业自动化电源系统。由于其优异的高频性能，特别适用于采用图腾柱无桥 PFC 和 LLC 谐振拓扑的先进电源设计。此外，GDZJ24B 还可用于高频 DC-DC 转换器，如用于 48V 至负载点（PoL）转换的模块化电源系统。
GS66508T, EPC2218, SiC620
