型号：CY10E301-4YC
　　容量：4 Kbit (512 × 8)
　　接口类型：并行接口
　　供电电压：3.3V ± 10%
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：44引脚PLCC
　　存储器类型：EERAM
　　写入耐久性：> 1,000,000 次
　　数据保持时间：10 年（在+85°C下）
　　存储方式：自动存储（Autostore）、硬件存储（Hardware Store）
　　访问时间：≤ 45 ns
　　待机电流：≤ 10 μA
　　工作电流：≤ 20 mA
　　输入/输出电平：CMOS/TTL 兼容

CY10E301-4YC的核心特性在于其独特的EERAM架构，融合了SRAM的高速读写能力与非易失性存储器的数据保持优势。该芯片在正常操作下表现为标准的静态RAM，支持纳秒级的读写响应速度，允许用户像访问普通SRAM一样进行频繁的数据更新，而无需担心写入延迟或页面限制问题。当系统发生断电或电源电压下降至预设阈值时，芯片内置的电源监控电路会立即检测到这一变化，并自动将SRAM中的数据转移到集成的非易失性存储阵列中，整个过程无需主控MCU干预，极大提升了系统的数据安全性与可靠性。这种自动存储（Autostore）机制基于先进的铁电电容技术或反熔丝技术实现，确保即使在突发断电情况下也能完整保存最新状态信息。
　　除了Autostore功能外，CY10E301-4YC还支持通过外部信号触发的硬件存储（Hardware Store）模式，用户可通过激活特定引脚（如HSB引脚）手动发起数据保存操作，适用于需要精确控制数据归档时机的应用场景。此外，该器件具备极高的写入耐久性，支持超过一百万次的写入周期，远高于传统EEPROM通常仅有的十万次左右的寿命，因此非常适合用于日志记录、参数调整、故障追踪等需高频写入的任务。由于其非易失性部分无需像Flash那样执行擦除操作，也没有写入延迟，因此不存在“写疲劳”或“写阻塞”问题，进一步提高了系统效率。
　　在功耗管理方面，CY10E301-4YC表现出色。在待机状态下，其电流消耗低至10μA以下，有助于延长电池供电系统的续航时间。同时，3.3V单电源供电设计简化了电源架构，避免了多电压轨带来的复杂性。该芯片还具备出色的抗辐射和抗干扰性能，适用于电磁环境复杂的工业现场。其44引脚PLCC封装不仅提供了足够的I/O带宽以支持并行访问，而且具有良好的热稳定性和机械强度，便于自动化贴片生产。总之，CY10E301-4YC凭借其高速、高耐久、低功耗和高可靠性的综合优势，成为众多对数据完整性要求严苛应用的理想选择。

CY10E301-4YC主要应用于需要高速数据写入与非易失性存储相结合的嵌入式系统中。在工业自动化领域，它常被用于PLC（可编程逻辑控制器）、远程I/O模块和传感器节点中，用以实时保存配置参数、运行状态和事件日志，确保在断电重启后系统能迅速恢复至先前工作状态。在通信基础设施中，该芯片可用于基站控制板、路由器和交换机的管理单元，用于存储MAC地址、网络配置和诊断信息，提升设备的启动速度与维护便捷性。
　　在医疗电子设备中，如监护仪、输液泵和便携式检测仪器，CY10E301-4YC可用于记录患者治疗参数、设备校准数据和操作历史，保障关键信息不会因意外断电而丢失，满足医疗安全标准。消费类电子产品中，例如高端打印机、POS终端和智能家电，该芯片可用于保存用户设置、使用计数和固件更新缓存，增强用户体验和产品智能化水平。
　　此外，CY10E301-4YC也适用于汽车电子中的车身控制模块（BCM）、仪表盘和车载信息娱乐系统，用于存储车辆配置、驾驶习惯偏好和故障码信息。由于其支持工业级温度范围和高抗干扰能力，能够在恶劣环境下长期稳定运行，因此也广泛用于航空航天、军事装备和能源管理系统等高可靠性要求的场合。总体而言，凡是需要兼顾高速读写、无限次写入和断电数据保护的应用，都是CY10E301-4YC的典型使用场景。

CY10E301-4ZI