存储容量：4x4位
　　工作电压范围：2V至6V
　　访问时间（最大）：120ns（在5V电源下）
　　输入/输出电压兼容性：TTL兼容
　　输出驱动能力：3.5mA（在5V电源下）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C（工业级）
　　封装类型：20引脚塑料DIP或SOP
　　功耗（典型）：10μA（待机模式）

HD74HC670FPEL 是一款专为高速数据存取设计的双端口静态RAM。该器件具有两个独立的数据端口（A端口和B端口），允许同时对存储器进行读写操作，适用于需要并行处理的应用场景。
　　其高速访问时间确保了在高频时钟应用中数据的快速获取和存储。该芯片的工作电压范围较宽（2V至6V），使其适用于多种电源环境，并具备良好的电平兼容性，能够与TTL和CMOS逻辑电平无缝对接。
　　HD74HC670FPEL 的低功耗设计使其在待机模式下功耗极低，非常适合对功耗敏感的应用。此外，其工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在恶劣环境中稳定运行。
　　该芯片内部结构采用静态存储单元，无需刷新操作，简化了系统设计并提高了可靠性。其输出驱动能力较强，可直接驱动多个TTL或CMOS负载，减少了外部缓冲电路的需求。

HD74HC670FPEL 广泛应用于需要高速双端口存储器的场合，例如数字信号处理器（DSP）系统、高速缓存控制器、通信设备中的缓冲区管理、图像处理模块、数据采集与转换系统等。
　　它特别适用于需要两个独立接口同时访问同一存储区域的场合，如多处理器系统中的共享内存、实时控制系统中的数据交换缓冲区、视频控制器中的帧缓存管理等。
　　此外，由于其宽电压和工业温度范围特性，该芯片也常用于工业自动化设备、测试与测量仪器、嵌入式系统以及教育实验平台中的高速存储扩展模块。

IDT7130S、CY7C130、SN74HC670N