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GA0805H821KXXBC31G 发布时间 时间:2025/6/3 19:06:10 查看 阅读:5

GA0805H821KXXBC31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高性能功率晶体管,专为高频和高效率应用场景设计。该器件采用了先进的 GaN-on-Si 工艺,具有低导通电阻、高开关速度和高耐压特性,适用于各种电力电子转换器、DC-DC 转换器、无线充电设备以及新能源领域的应用。
  相比传统的硅基 MOSFET,这款 GaN 晶体管能够在更高的频率下运行,同时保持较低的开关损耗和导通损耗,从而显著提升系统效率并减小整体尺寸。

参数

型号:GA0805H821KXXBC31G
  类型:增强型功率晶体管
  材料:氮化镓(GaN)
  最大漏源电压:650V
  最大连续漏极电流:8A
  导通电阻:15mΩ
  栅极阈值电压:1.5V - 4.5V
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247-3L

特性

GA0805H821KXXBC31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(15mΩ),能够显著降低传导损耗。
  2. 高开关速度,支持 MHz 级别的开关频率操作。
  3. 内置 ESD 保护功能,增强了器件的鲁棒性。
  4. 小尺寸和轻量化设计,适合紧凑型电力电子设备。
  5. 高可靠性,在极端环境条件下仍能保持稳定性能。
  6. 支持高效的硬开关和软开关拓扑结构。
  这些特性使其成为高速开关电源、工业电机驱动器和电动汽车充电系统的理想选择。

应用

GA0805H821KXXBC31G 广泛应用于以下领域:
  1. 高频 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器。
  2. 充电器和适配器,例如手机快充和笔记本电脑充电器。
  3. 无线能量传输系统,如无线充电板。
  4. 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。
  5. 电动工具和家用电器中的高效电机驱动电路。
  6. 数据中心服务器和通信基站的电源管理单元。
  其高频和高效的特点使它非常适合需要小型化和高性能的场景。

替代型号

GAN0606WTA,
  GAN1006WTA,
  TP65H015G4

GA0805H821KXXBC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容820 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-