时间：2025/6/3 19:06:10
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GA0805H821KXXBC31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率晶体管，专为高频和高效率应用场景设计。该器件采用了先进的 GaN-on-Si 工艺，具有低导通电阻、高开关速度和高耐压特性，适用于各种电力电子转换器、DC-DC 转换器、无线充电设备以及新能源领域的应用。
相比传统的硅基 MOSFET，这款 GaN 晶体管能够在更高的频率下运行，同时保持较低的开关损耗和导通损耗，从而显著提升系统效率并减小整体尺寸。
型号：GA0805H821KXXBC31G
类型：增强型功率晶体管
材料：氮化镓（GaN）
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：8A
导通电阻：15mΩ
栅极阈值电压：1.5V - 4.5V
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-3L
GA0805H821KXXBC31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（15mΩ），能够显著降低传导损耗。
2. 高开关速度，支持 MHz 级别的开关频率操作。
3. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的鲁棒性。
4. 小尺寸和轻量化设计，适合紧凑型电力电子设备。
5. 高可靠性，在极端环境条件下仍能保持稳定性能。
6. 支持高效的硬开关和软开关拓扑结构。
这些特性使其成为高速开关电源、工业电机驱动器和电动汽车充电系统的理想选择。
GA0805H821KXXBC31G 广泛应用于以下领域：
1. 高频 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器。
2. 充电器和适配器，例如手机快充和笔记本电脑充电器。
3. 无线能量传输系统，如无线充电板。
4. 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。
5. 电动工具和家用电器中的高效电机驱动电路。
6. 数据中心服务器和通信基站的电源管理单元。
其高频和高效的特点使它非常适合需要小型化和高性能的场景。
GAN0606WTA,
GAN1006WTA,
TP65H015G4
