CXT5551EBK 是一款 NPN 型高压晶体管,主要用于高功率放大和开关应用。该器件采用先进的硅外延工艺制造,具有良好的热稳定性和高电流容量。其封装形式为 TO-92,适用于多种电子电路设计。
晶体管类型:NPN
集电极-发射极电压(Vceo):150V
集电极-基极电压(Vcbo):160V
发射极-基极电压(Vebo):5V
集电极电流(Ic):100mA
功耗(Pd):300mW
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-65°C ~ +150°C
CXT5551EBK 具有多个显著的电气和物理特性,使其在多种应用中表现出色。首先,其高压耐受能力使其能够在高压电路中稳定运行,集电极-发射极电压(Vceo)高达 150V,集电极-基极电压(Vcbo)为 160V。这种高压特性非常适合用于电源管理、高电压放大器和开关电路。
其次,该晶体管具有良好的热稳定性。在工作过程中,晶体管能够承受较高的温度变化,其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,而存储温度范围则为 -65°C 至 +150°C。这种宽温度范围使其适用于各种恶劣环境条件下的应用,例如工业控制系统和户外电子设备。
此外,CXT5551EBK 的封装形式为 TO-92,这是一种常见的三引脚塑料封装,具有良好的机械强度和电气绝缘性能。TO-92 封装适合通孔插装工艺,便于在印刷电路板(PCB)上安装和焊接,同时也有助于散热,确保晶体管在高功率条件下稳定运行。
该晶体管的最大集电极电流(Ic)为 100mA,最大功耗为 300mW,使其能够在中等功率应用中提供可靠的性能。这些特性使其成为驱动继电器、LED 显示屏、小型电机和其他负载的理想选择。
最后,CXT5551EBK 具有较低的饱和压降(Vce_sat),这有助于减少功率损耗并提高电路效率。同时,其快速开关特性也使其适用于数字电路和脉宽调制(PWM)控制应用。
CXT5551EBK 广泛应用于多个电子领域。首先,在电源管理方面,该晶体管可用于设计高压开关电源、稳压电路以及 DC-DC 转换器,其高电压耐受能力和良好的热稳定性确保了电源系统的稳定性和可靠性。
其次,在放大电路中,CXT5551EBK 可用于构建高电压前置放大器或功率放大器,适用于音频放大器、信号放大器以及传感器信号调理电路。其良好的线性特性和低失真性能有助于提升音频和信号处理的质量。
此外,该晶体管还可用于驱动各种负载,例如继电器、LED 显示屏、小型电机和电磁阀。其较高的电流容量和低饱和压降使其成为理想的开关元件,能够在数字电路和嵌入式系统中实现高效的负载控制。
在工业自动化领域,CXT5551EBK 可用于构建传感器接口电路、工业控制板以及自动化设备中的信号处理模块。其宽温度范围和高可靠性使其能够适应工业环境中的严苛条件。
最后,在消费类电子产品中,该晶体管可用于构建电源开关、LED 灯具控制电路以及小型家用电器的电子控制系统,提供稳定和高效的性能。
2N5551, BC547, PN2222