类型: N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流: 60A
　　最大漏-源电压: 30V
　　最大栅-源电压: ±20V
　　导通电阻(RDS(on)): 0.014Ω @ VGS=10V
　　栅极电荷(Qg): 85nC
　　工作温度范围: -55°C 至 175°C

CXM3614ER-T2 MOSFET 具有多个显著的电气和热性能优势，其中最突出的是其极低的导通电阻 (RDS(on))，在 VGS=10V 时仅为 0.014Ω，这大大降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。此外，该器件具备高栅极电荷（Qg）特性，确保了在高频开关应用中仍能保持良好的性能。
　　该MOSFET还采用了先进的封装技术，提供优异的散热性能，有助于在高电流负载下维持较低的工作温度。其高耐压能力（最大漏-源电压为30V）使其能够承受较高的电压应力，适用于多种电源管理场景。此外，CXM3614ER-T2 的宽工作温度范围（-55°C 至 175°C）使其在极端环境条件下也能保持稳定运行，提高了其在工业和汽车应用中的可靠性。
　　另一个重要特性是其高栅-源电压容限（±20V），这为设计者提供了更大的灵活性，并有助于防止因栅极电压波动而导致的器件损坏。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，适用于对环保要求较高的设计项目。

CXM3614ER-T2 广泛应用于需要高效率、低导通电阻和高可靠性的电力电子系统中。例如，它常用于电源管理模块中的 DC-DC 转换器，以实现高效的电压转换。此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制，能够有效降低功率损耗并提高系统整体效率。
　　在负载开关应用中，CXM3614ER-T2 可用于控制高电流负载的开启与关闭，其低导通电阻特性有助于减少热量产生，提高系统稳定性。该器件还常用于电机驱动电路、电源分配系统以及工业自动化设备中的功率控制部分。
　　由于其优异的热管理和高温工作能力，CXM3614ER-T2 也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电动车辆的辅助电源系统。同时，该MOSFET也适合用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及各种类型的高功率便携式设备中。

SiS6682, IRF3710, SQM3614EL