时间：2025/9/13 21:55:33
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TDZ6V8J115 是一种由东芝（Toshiba）制造的功率晶体管，主要用于高功率放大器、电源管理以及工业控制等应用。该器件采用先进的硅技术，具有优异的热稳定性和高电流承载能力。TDZ6V8J115 属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，通常用于需要高效率和高可靠性的电子系统中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：115V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：6A
功耗（PD）：35W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
TDZ6V8J115 MOSFET 具有多个显著的特性，使其在高功率应用中表现卓越。首先，该器件的高耐压能力（115V）确保其能够在高电压环境下稳定运行。其次，其连续漏极电流为6A，能够支持较大的负载电流，适用于功率放大器和电机控制等高电流需求的应用。此外，TDZ6V8J115 的导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统整体效率。
该器件还具有良好的热稳定性，采用TO-220封装形式，有助于快速散热，防止因温度过高而导致的性能下降或器件损坏。在工业控制、电源转换器以及开关电源（SMPS）中，TDZ6V8J115 都是一个可靠的功率开关元件。其±20V的栅源电压容限也使其在驱动电路设计中更加灵活，适用于多种驱动方案。
TDZ6V8J115 MOSFET 常用于需要高功率和高可靠性的电子系统中。典型应用包括直流电机控制、电源转换器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备以及高功率LED照明系统。此外，该器件也可用于音频放大器和开关电源设计中，作为高效能的功率开关元件。
TDZ6V8J115的替代型号包括：TDZ6V8J115C, TDZ6V8J115K, TDZ6V8J115S
