时间：2025/8/18 17:13:49
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CXK5864BM-10LL 是一款静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为8K x 8位，采用高速CMOS工艺制造，适用于需要快速数据访问和低功耗的应用场合。该芯片广泛应用于通信设备、工业控制系统、消费电子产品等领域。
类型：SRAM
容量：8K x 8位（64Kbit）
电源电压：3.3V 或 5V（具体根据版本而定）
访问时间：10ns（最大频率可达约100MHz）
封装形式：通常为28引脚SSOP或DIP封装
工作温度范围：商业级（0°C 至 70°C）或工业级（-40°C 至 85°C）
I/O数量：8位数据总线
控制信号：/CE（片选），/OE（输出使能），/WE（写使能）
CXK5864BM-10LL 具有高速存取能力，访问时间仅为10ns，适合高速缓存和实时系统应用。其CMOS技术不仅确保了低功耗运行，还提高了抗干扰能力。该芯片支持异步操作，允许在没有时钟同步的情况下进行读写操作，提高了系统的灵活性。此外，该芯片具有高可靠性，支持多种工作电压，便于在不同电源系统中使用。封装形式多样，适用于不同的PCB布局需求。
该芯片常用于需要高速、低功耗存储的应用中，如嵌入式系统、网络设备、打印机、工业控制器、消费类电子产品等。由于其异步接口特性，CXK5864BM-10LL 可轻松连接到各种微处理器和控制器系统中。
CY62148E（Cypress），AS6C6264（Alliance Memory），IS62LV6416（ISSI），CY62148EV3（Cypress）
