时间：2025/5/22 0:00:47
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DMP3010LK3-13 是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，采用小型SOT26封装形式。该器件广泛应用于各种开关和负载驱动电路中，因其低导通电阻和高开关速度而受到青睐。它具有出色的热稳定性和可靠性，适合在空间受限的应用中使用。
该MOSFET主要适用于消费电子、通信设备以及工业控制领域中的功率管理与切换场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.9A
栅极-源极电压：±20V
导通电阻（典型值）：0.4Ω
总功耗：500mW
结温范围：-55℃至150℃
DMP3010LK3-13 提供了非常低的导通电阻，从而减少了功率损耗并提高了效率。此外，其具备快速开关能力，能够有效减少开关过程中的能量损失。
该器件还拥有强大的抗静电能力，符合人体模型2000V ESD保护标准，这使其在实际应用中更加可靠。另外，SOT26封装体积小、重量轻，便于安装且散热性能良好。
它的漏源击穿电压高达30V，保证了在较高电压环境下的安全工作。同时，该MOSFET支持大电流连续运行，进一步拓宽了其应用范围。
DMP3010LK3-13 通常被用作电源开关或负载开关，在DC-DC转换器、电池保护电路、LED驱动器以及马达控制器等领域表现优异。
在消费类电子产品中，例如手机充电器、平板电脑适配器及便携式音频设备里，这款MOSFET可以实现高效能的功率管理功能。
另外，在汽车电子系统内，如车身控制模块、信息娱乐系统等部分，也可发现它的身影。
DMN2010UFQ-13, AO3400, FDN340P
