容量：256K x 8位
　　电压：2.3V - 3.6V
　　最大访问时间：70ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：54引脚
　　接口类型：并行异步接口
　　功耗：典型值为100mA（待机模式下小于10mA）
　　读写周期时间：100ns

CXK58257BYM-70LLX 的主要特点之一是其高速存取能力，访问时间仅为70ns，使其能够满足对响应时间要求较高的系统需求。该芯片支持异步操作，允许与多种控制器和处理器直接连接，简化了系统设计。此外，该器件采用了低功耗设计，在待机模式下电流消耗极低，有助于延长便携设备的电池寿命。
　　这款SRAM芯片的电压范围为2.3V至3.6V，使其适用于多种电源环境，并具备良好的抗干扰能力和稳定性。TSOP封装设计不仅节省空间，还提高了散热性能，适用于高温环境下的工业应用。该芯片的高可靠性和广泛的工作温度范围（-40°C 至 +85°C）也使其成为汽车电子和工业控制领域的理想选择。
　　与传统的SRAM芯片相比，CXK58257BYM-70LLX 提供了更高的集成度和更强的抗静电能力，同时具备较高的抗噪性能，确保在复杂电磁环境中仍能稳定运行。

CXK58257BYM-70LLX 广泛应用于多种嵌入式系统和工业设备中，如工业自动化控制器、通信模块、网络设备、测试仪器和消费类电子产品。由于其高速度和低功耗特性，该芯片特别适用于需要缓存或临时存储的场景，例如图像处理模块、数据采集系统和手持式测量设备。此外，它也被广泛用于需要高速缓冲存储的嵌入式系统，如智能卡终端、POS机和车载信息娱乐系统。在汽车电子领域，该芯片可作为仪表盘控制模块、车身控制模块或车载导航系统的临时存储单元。其高稳定性与宽温度范围也使其适用于恶劣环境下的长期运行。

AS7C256A-70BCTR、CY62148EVLL-70ZS、IDT71V016SA70BTR、IS61LV256AL-70BLL