时间：2025/9/10 12:42:54
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KMG50VB10RM5X11LL是一款功率MOSFET晶体管，通常用于高功率开关应用。这款器件具有较高的电流和电压承受能力，适用于电源管理、电机控制和功率放大器等领域。
类型：功率MOSFET
最大漏极电流：50A
最大漏-源电压：100V
导通电阻（Rds(on)）：<10mΩ
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
KMG50VB10RM5X11LL具备低导通电阻，有助于减少导通损耗并提高效率。该器件还具有较高的热稳定性和耐用性，适合在高负载条件下长时间运行。此外，该MOSFET具有良好的抗雪崩击穿能力，确保在高能脉冲条件下可靠工作。由于其低栅极电荷和快速开关特性，这款MOSFET适用于高频开关应用。该器件的封装设计有助于良好的散热，确保在高功率应用中保持稳定性能。
KMG50VB10RM5X11LL广泛应用于各种高功率电子设备，如DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、电源管理系统和工业自动化设备。它也常用于汽车电子系统、可再生能源系统（如太阳能逆变器）以及高功率LED照明系统。
IRF1405, STP55NF06, FDPF12N50F
