容量：256Kbit（32K x 8）
　　组织方式：x8位宽
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　最大访问时间：85ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　封装引脚数：52引脚
　　封装尺寸：标准TSOP
　　封装材料：塑料
　　封装热阻（θJA）：约85°C/W
　　待机电流：最大10mA
　　工作电流：最大160mA

CXK582000TM-85LL具有多个显著的性能特性。首先，它采用高速CMOS工艺制造，具备快速的访问时间（最大85ns），适用于需要高性能数据存取的场景。其次，该芯片支持宽电压范围供电（2.3V至3.6V），使其能够适应不同的电源管理系统，并具备良好的兼容性。此外，该SRAM芯片支持低功耗待机模式，在非活跃状态下显著降低功耗，适合对功耗敏感的应用。该器件的工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）确保其在各种恶劣环境下仍能稳定运行。封装方面采用TSOP形式，节省空间并提高散热性能，适合高密度电路设计。
　　在接口方面，CXK582000TM-85LL提供了标准的地址、数据和控制信号线，包括地址总线（A0-A14）、数据总线（D0-D7）、片选信号（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），使得其可以方便地与微处理器或控制器连接。这种通用性使其广泛应用于多种嵌入式系统和接口扩展设计中。

CXK582000TM-85LL SRAM芯片广泛应用于需要高速存储访问的嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备、消费类电子产品以及手持设备。它常用于作为微控制器或数字信号处理器（DSP）的外部存储扩展，也可作为高速缓存（Cache）使用。例如，在图像处理系统中，该芯片可用于临时存储图像数据；在通信设备中，用于缓冲传输数据包；在测试测量仪器中，用于快速存储和读取测量数据。此外，由于其低功耗特性，也适用于电池供电设备和便携式电子设备。

CY62167VLL-85BZC, IS61LV25616-85BLL, IDT71V416S85B, AS7C256A-85BC