NCP5181 时间：2025/9/3 20:24:54 阅读：21

NCP5181是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款高压、高频、双通道MOSFET驱动器芯片。该芯片专为驱动N沟道功率MOSFET而设计，适用于各种功率转换器拓扑结构，如半桥、全桥、推挽和同步整流等。NCP5181采用了高边和低边驱动技术，能够提供高驱动能力、快速开关速度和优异的抗干扰性能。其耐压能力高达600V，使其适用于高压功率转换系统。此外，该芯片具有宽输入电压范围，工作温度范围广，适用于工业级应用。

参数

类型：MOSFET驱动器
　　通道数：2通道
　　驱动电压范围：10V 至 20V
　　最大输出电流：350mA（典型值）
　　最大开关频率：1MHz
　　高压侧额定电压：600V
　　低压侧额定电压：600V
　　传输延迟：50ns（典型值）
　　上升/下降时间：10ns（典型值）
　　封装形式：SOIC-16
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

特性

NCP5181的主要特性包括高边和低边双通道驱动能力，使其适用于各种拓扑结构中的功率MOSFET驱动。该芯片采用高压工艺制造，具有高耐压能力，可承受高达600V的电压应力。此外，其快速开关能力支持高达1MHz的工作频率，适用于高频功率转换应用。NCP5181的输出驱动能力强，能够快速充放电MOSFET栅极电容，减少开关损耗并提高系统效率。该芯片还具备欠压锁定（UVLO）保护功能，防止在电源电压不足时误操作，提高系统稳定性与可靠性。另外，其设计具有较强的抗干扰能力，可有效防止高频开关过程中产生的噪声干扰。芯片采用紧凑的SOIC-16封装，便于PCB布局和散热。

应用

NCP5181广泛应用于各种高电压和高频功率电子系统中，包括DC-DC转换器、AC-DC电源、电机驱动器、同步整流器、半桥和全桥拓扑结构、功率因数校正（PFC）电路、工业电源、太阳能逆变器以及电动车充电系统等。由于其优异的性能和可靠性，NCP5181特别适合对效率和稳定性有较高要求的工业和汽车电子应用。