NCP5181是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高压、高频、双通道MOSFET驱动器芯片。该芯片专为驱动N沟道功率MOSFET而设计,适用于各种功率转换器拓扑结构,如半桥、全桥、推挽和同步整流等。NCP5181采用了高边和低边驱动技术,能够提供高驱动能力、快速开关速度和优异的抗干扰性能。其耐压能力高达600V,使其适用于高压功率转换系统。此外,该芯片具有宽输入电压范围,工作温度范围广,适用于工业级应用。
类型:MOSFET驱动器
通道数:2通道
驱动电压范围:10V 至 20V
最大输出电流:350mA(典型值)
最大开关频率:1MHz
高压侧额定电压:600V
低压侧额定电压:600V
传输延迟:50ns(典型值)
上升/下降时间:10ns(典型值)
封装形式:SOIC-16
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
NCP5181的主要特性包括高边和低边双通道驱动能力,使其适用于各种拓扑结构中的功率MOSFET驱动。该芯片采用高压工艺制造,具有高耐压能力,可承受高达600V的电压应力。此外,其快速开关能力支持高达1MHz的工作频率,适用于高频功率转换应用。NCP5181的输出驱动能力强,能够快速充放电MOSFET栅极电容,减少开关损耗并提高系统效率。该芯片还具备欠压锁定(UVLO)保护功能,防止在电源电压不足时误操作,提高系统稳定性与可靠性。另外,其设计具有较强的抗干扰能力,可有效防止高频开关过程中产生的噪声干扰。芯片采用紧凑的SOIC-16封装,便于PCB布局和散热。
NCP5181广泛应用于各种高电压和高频功率电子系统中,包括DC-DC转换器、AC-DC电源、电机驱动器、同步整流器、半桥和全桥拓扑结构、功率因数校正(PFC)电路、工业电源、太阳能逆变器以及电动车充电系统等。由于其优异的性能和可靠性,NCP5181特别适合对效率和稳定性有较高要求的工业和汽车电子应用。
NCP5182, IR2110, TC4420, LM5101, IRS2104