类型：静态RAM（SRAM）
　　容量：16K位
　　组织：2K x 8
　　访问时间：35ns
　　工作电压：5V
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：28引脚DIP
　　接口类型：并行
　　功耗：典型值约120mA
　　读取电流：最大150mA
　　待机电流：最大10mA

CXK5416P-35L SRAM芯片具有多项显著特性，包括高速存取能力（35ns访问时间），这使得它非常适合用于需要低延迟数据访问的应用场景。其2K x 8的组织结构提供了2048个地址，每个地址存储8位数据，便于与微控制器或嵌入式系统的数据总线直接对接。
　　该芯片支持5V电源供电，符合大多数传统和工业控制系统的电源标准。在功耗方面，CXK5416P-35L在正常读写操作下的典型电流为120mA，最大读取电流为150mA，而在待机模式下，电流消耗可降至10mA以下，有助于降低系统整体功耗。
　　CXK5416P-35L的宽工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种工业和恶劣环境条件。其28引脚DIP封装便于安装和焊接，也适用于原型设计和批量生产。该芯片还具备良好的抗干扰能力和稳定性，适用于对数据可靠性要求较高的场合。

CXK5416P-35L SRAM芯片广泛应用于需要高速存储器的嵌入式系统、工业控制系统、通信设备、测试仪器和消费类电子产品中。例如，在微控制器系统中，它可以用作外部数据存储器，提供快速的数据读写能力。在工业自动化设备中，CXK5416P-35L可作为临时数据缓存，用于存储传感器数据、控制指令或其他运行时信息。
　　此外，该芯片也适用于老式计算机系统、工业控制面板、PLC（可编程逻辑控制器）以及需要非易失性存储器备份的系统中。由于其高速特性和稳定性，CXK5416P-35L也常用于需要实时数据处理的音频和视频设备中。

CY6216BLL-45ZXC, CY62167DV30LL-45BZS, CY62168DV30LL-45BZS