MTN7002S3 时间：2025/12/28 14:45:36 阅读：5

MTN7002S3是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用SOT-23封装。该器件适用于低电压和中等功率应用，具备良好的导通性能和快速开关特性。MTN7002S3常用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及逻辑电平转换等电路中。该MOSFET具有较高的集成度和可靠性，适用于便携式设备、消费类电子产品和工业控制系统。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：100mA（每个通道）
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

MTN7002S3 MOSFET采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备较低的导通电阻（RDS(on)），在低栅极电压下仍能保持良好的导通性能。其双通道结构允许在同一封装内实现两个独立的MOSFET器件，从而节省PCB空间并提高系统集成度。此外，该器件具有快速开关能力，减少了开关损耗，适用于高频应用。MTN7002S3还具有良好的热稳定性和抗静电能力，能够在多种工作环境下保持稳定运行。其SOT-23封装形式便于表面贴装，适合自动化生产流程。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从2.5V到12V的驱动电压，适用于多种逻辑电平控制电路，包括3.3V和5V系统。由于其低漏电流特性，在关断状态下可有效减少静态功耗，适用于节能型设计。此外，MTN7002S3的热阻较低，有助于提高在高环境温度下的稳定性，延长使用寿命。